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[参考译文] TLV1117LV:TLV1117LV33,Vin=4V,Iout=600mA,Vdo =365mV 真的是吗?

Guru**** 1814010 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV1117
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器件型号:TLV1117LV
主题中讨论的其他器件:TLV1117

 ℃下图、我需要3.3V、600mA 输出@25 μ A。   如果我给 Vin=4V,我能得到这个结果吗?

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    您好 Ke Tian、

    这可能是微不足道的。 这些是500mA 和800mA 时的典型值。  在 以下条件下、较新的 TLV757将具有更大的裕度:

    我希望这能回答你的问题。  

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    我  ,TLV757、但 有许多 PCB 已有库存。 此时、电源的 Vout 为4.5V。 但现在它已更改为4.0V

    您能否按照以下条件进行测试:Vin=4V、Iout=500或800mA、 然后在此处显示实际的 Vout。

    如果 Vout=3.3V、我可以更新 BOM。 TI 的 Oder IT。

    如果 Vout=3.0V、 我 认为 TI 应该 更正  TLV1117LV33的数据表、因为与其他1117 IC 没有任何区别。这个数据表给了我 很大的希望来解决我的问题。 我不希望得到一个答案、那就是更改一个新的 LDO 模型。如果可以这样做、我不需要任何人来建议我。

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    您好 Ke Tian、

    我没有意识到您已经制作了板。  

    TLV1117与其他1117线性稳压器不同的原因是它使用 PMOS 作为导通元件。 典型的1117使用达林顿对来调节 VOUT。  请参阅以下内容:

    虽然我没有实际数据、但基于数据表。 1117LV 下 PMOS 的有效 RDSON 为~0.7Ohm (700mV/1A)。 因此、在800mA 时、有效 VDO 应为~560mV (700m Ω* 800mA)。 这意味着、在4V 输入电压下、您具有4V-0.56或3.44V、从而为您提供140mV 的裕度。 此分析不考虑4V 输入电源的精度。

    但愿这对您有所帮助。  

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     感谢   您的回答。

    我将从 TI 获取一些 IC 并 在 实际电路中对其进行测试。