[参考译文] LM5118：LM5118上的功率耗散

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器件型号：LM5118
主题中讨论的其他器件： CSD19538Q3A、 CSD19538Q2

请告诉我、当输入为32V 时、在22V 输出下运行时、如何计算 LM5118的功率耗散

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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您好 Saurabh、

感谢您提出问题并使用 LM5118。

您是否尝试计算 LM5118中的功率耗散？如果是、我需要知道正在使用的 MOSFET 和开关频率。大多数功率耗散来自内部 LDO、该 LDO 主要用于驱动外部 MOSFET。

谢谢、

Garrett

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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我们使用400kHz 和 CSD19538Q3A 作为 MOSFET。请告诉我该器件的功率耗散计算。

我们的输入电压为18-38VDC、使用 LM5118生成22V 和1.2A。我们还有来自其他降压转换器的5V 输出，它们通过相同的输入电压运行。我们已通过1k 电阻将5V 电压连接到 LM5118的 VCCX 引脚。想法是，最初内部 LDO 将增加22VDC，而5V 也将增加，这将导致内部 LDO 关闭。这是否会降低 LM5118的功耗？如果是，如何计算这种情况？我们需要比较这两种情况。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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Dipesh、

内部 LDO 的功耗计算如下。当 VIN 引脚用于为 LDO 供电时、这是正常操作的结果。

PVCC =(VIN-VCC)*｛(Qg*FSW)+IBAIS)

QG 是所选 MOSFET 的总栅极电荷。如果低侧 MOSFET 和高侧 MOSFET 都在开关、则这是两个器件的总栅极电荷之和。

VIN 是输入电压

VCC 是 VCC 电压

fsw 是开关频率

IBIAS 是 LM5118在最坏情况下的工作电流= 5.5mA。该值来自数据表。

对于 VCCX 引脚以5V 偏置的情况、LDO 将不工作、该公式仅基于 VCCX 开关上的 RDSON

PVCC =(RDSON)*[｛(Qg*FSW)+IBAIS)^2]

VCCX 开关的 Rdson 通常为5欧姆。该值来自数据表。

如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢

Garrett

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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只是想确认我使用 csd19538q2 MOSFET 和400kHz 开关频率进行的计算。这是否意味着一旦5V 电源打开并连接到 VCCX，功耗将下降到0.7mW？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2391415 points

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Dipesh、

是的、正确。

-Garrett

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