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器件型号：UCC28730-Q1 主题中讨论的其他器件： UCC28730、 TINA-TI
大家好、我想咨询-
对于使用 UCC28730-Q1的 QR 反激式、当它进入 DCM 模式时 、UCC28730-Q1是否能够始终检测 MOSFET 上的谷值电压、然后在谷值电压点(或附近)开启？ 如果反激式具有宽输入和不同的负载条件、 UCC28730-Q1是否会始终保证获取谷值电压、然后打开 MOSFET？
因为我们正在评估多个 QR 反激式控制器。
但发现、对于某些控制器、它只能检测和控制反激式在临界模式下运行时的开启时刻。 一旦进入 DCM、控制器将无法控制开通时间、这意味着 MOSFET 将有一定的机会在极高的 VDS 点开启并导致较大的损耗。
此外，是否有方法可以仿真 UCC28730-Q1？ 我尝试将 SPICE 模型导入到 LTSPICE 中、但它不起作用。
请说明如何模拟... 谢谢！
