[参考译文] BQ24193：控制输出上升时间以减少 EMC 生成(并略微降低效率)？

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/886095/bq24193-controlling-output-rise-time-for-reduced-emc-generation-and-slightly-lower-efficiency

我们的应用很难防止 BQ24193RGET 充电器的辐射在同一个微型电路板上对无线电进行"去感应"。  "VBUS"输入电压的标称值为12V。  在控制射频干扰的许多操作中、包括屏蔽 CAN、小心地将 PMID 电容器接线(连接到 PMID 和 PGND)布线 以及常规接地优化、我们还考虑了通过插入一个与连接到 BTST 的自举电容器串联的小电阻器来降低开关速度。 请参阅应用的原理图快照、其中该电阻器为 R2038 (在本例中为0r)。 在我们的测试中、在 BTST 上使用10欧姆电阻可显著减少辐射。 同时、除了效率下降是可以接受的且几乎不可测量之外、我们无法看到对测试样品有任何明显的负面影响。 这个想法是顺便说一句。 来自 TI 文档 slyt465.pdf (控制同步降压转换器中的开关节点振铃)。

但是、数据表并未提供任何有关 BTST 上的此类电阻器的指南。 问题是：是否建议在 BTST 电路中使用此类电阻器？ 如果是、如何标注附加电阻器的尺寸、以便我们能够保证产品在温度范围内正常工作、并保证 IC 免受芯片间电阻参数变化的影响？