您好！
请参见下图、SOA 图中提到的脉冲时序、它们是脉冲的"打开"时序还是"打开+关闭"时序？
我是说1msec 是指"on"周期为1msec 的脉冲还是"total"("on"+ off)周期为1msec 的脉冲？ 如果1ms 是总周期、那么1ms 的导通周期或占空比是多少？ 如何了解这些数字？
此外、为什么图中仅显示高达1ms 的脉冲宽度、为什么不显示100usec 或10usec 以及更多？ 这是否意味着该 MOSFET 只能支持1ms 的脉冲、而不能支持比1ms 更快/更小的脉冲宽度？
请建议
谢谢
桑托什
您好、Santosh、
感谢您关注 TI FET。 在下面、您可以在我们的 MOSFET 数据表中找到有关 TI 如何指定 SOA 的链接。 CSD16325Q5数据表中包含的 SOA 曲线适用于单个导通脉冲。 对于重复脉冲、您可以使用 MOSFET 数据表中包含的瞬态热阻抗曲线。 CSD16325Q5是一款较旧的器件、可计算 SOA 曲线。 对于脉宽小于1ms 的情况、最大电流受数据表第1页上的绝对最大额定电流(200A)的限制。 由于这是一款较旧的器件、我们建议将 CSD17573Q5B 用作较新的器件替换器件。 该器件数据表中的 SOA 曲线基于实际的测试到故障数据。
尊敬的 John：
感谢您的回复。
参考 CSD17573Q5B 数据表、第一页中提到了43A 的持续漏极电流。 这是否意味着如果散热器可以将 TJ 保持在150摄氏度以下、我可以连续拉43A？
tj =130 (降额)
TA = 40
PD = 43A (ID)* 1V (VDS)= 43瓦
TJ= TA + PD * Rth (JA)
130=40+43*Rth (JA)
RTH (JA)= 2度/瓦
因此、如果我选择热阻小于2摄氏度/瓦的散热器(有源/无源)、我是否能够在 VDD 为1V 时拉取连续43A 漏极电流？ 我的理解是否正确？
请建议
我的电路
您好、Santosh、
MOSFET 数据表第1页上的连续漏极电流额定值是计算的数量、但受封装限制的电流除外、该电流由硅片和封装/引线框之间的接口决定。 这可以是 CSD17573Q5B 使用的接合线或铜夹。 我在下面提供了一些链接、这些链接按封装说明了 TI FET 的连续电流额定值、热阻抗和功率耗散能力。 您的计算正确。 然而、如果不是无法实现、那么实现2°C/W 的 RthetaJA 将非常困难。 TI 将 RthetaJC 规范为封装底部的散热焊盘、最大厚度为0.8摄氏度/瓦 在5x6mm SON 封装中持续耗散43W 是不切实际的。 如果这是脉冲、则可以使用 MOSFET 数据表中的瞬态热阻抗曲线来计算结温上升。 您可能需要考虑并联多个 FET、以便在更大的表面积和封装数量上散热。
e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-3
e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-6-thermal-impedance
您好、Santosh、
理论上、您可以使用相同的计算来确定 VDS = 1V 时的最大持续电流、如下所示：
PDmax =(Tj - Tcase)/RthetaJC、IDmax = PDmax/Vds
如果 Tj = 130°C 且 Tcase = 75°C、则 PDmax =(130-75)/0.8 = 68.75W、IDmax = 68.75W/1V = 68.75A。
实际上、您需要一个散热器和散热接口、该接口可在环境中耗散68.75W 功率。 如果环境温度为25摄氏度、 则散热器+热界面所需的热阻可按如下方式计算：
RthetaCA =(75°C - 25°C)/68.75W = 0.727°C/W、这对于散热主要路径进入 PCB 的 SMT 封装而言不太现实。 您可以散热此封装的顶部、但顶部外壳的 RthetaJC 大约为11摄氏度/瓦 您还可以散热板的背面。 如果没有散热器、我已经看到良好的 PCB 设计能够实现20 - 25°C/W 的有效 RthetaJA。 然后、计算将变为：
PDmax =(Tj - Ta)/RthetaJA_eff =(130-25)/25= 4.2W。
在 Ta = 55°C 时、该值降至3W (Vds = 1V 时 IDmax = 3A)。
TI 已停止在 SON 封装顶部采用暴露金属的双冷却 MOSFET 封装产品。 TI 提供的唯一可直接连接到散热器的封装是 TO220。 下面是 TO220封装中所有 TI FET 列表的链接。 此封装的 RthetaJC 最大为0.4°C/W 有许多散热器制造商可以帮助您进行散热器设计和选择。
您好 Santosh、
再次感谢您关注 TI MOSFET。 请查看以下我的答案：
你(们)好
我的 ID 计算中有一个错误。 我错过了 RDS_ON 中的"mili"。 下面是正确的一个、对于10msec、1%的占空比为~453A。 这很好、因为我的 RDS 为2.02mil、您的 ID 为1.77mil、因此您的 ID 为~485。
因此、如果计算值为~485A、但由于您的测试设备(您的电源设备最高可达400A)、您是否将其限制为400A？ 因此、它实际上不是 MOSFET 的限制。 如果您的电源电流仅为200A、那么您的 MOSFET 限值是否会达到200A？
以及如何测量 RDS_ON？ 请建议
按 VDD、我是说请参见随附的图像
| 脉冲(1%占空比) | 标准系数 | Zjc | PDM | IDM | ||
| TJ | 150 | 100毫秒 | 0.8. | 0.64 | 195.3 | 30.7. |
| TC | 25 | 10毫秒 | 0.375 | 0.3. | 416.7 | 453.8 |
| RJC | 0.8. | 1毫秒 | 0.15 | 0.12 | 1041.7 | 717.6. |
| RDS_ON | 0.002023. | 100 μ C | 0.028 | 0.0224 | 5580.4. | 1660.9. |
| 10 μ s | 0.012. | 0.0096 | 13020.8. | 2537.0 |
谢谢
桑托什
