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[参考译文] BQ77915:在 UV 条件恢复后 DSG MOS FET 不能#39;t 开路

Guru**** 2558250 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77915

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/884690/bq77915-dsg-mos-fet-don-t-open-after-uv-condition-recover

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ART 编号:BQ77915

各位专家、您好!

我的客户在 BQ77915 PP 测试期间遇到了一个紧急问题、需要一些建议来帮助解决此问题。 原理图如附件所示。  这是15节串联电池场景。  3个 BQ77915堆栈、如其所述、它们使用一个仪器来模拟电池的 UV、以测试每个电池、[低至2.9V 以触发 UV 并从3.3V 恢复]、 6~15 Ω 电池 正常、但在测试1~5时、DSG MOSFET 无法从该 UV 条件中恢复。  

它们尝试将 LD 引脚(14引脚)的电阻增加到10M、它 从这个问题中恢复、但这使得负载移除检测不敏感。

请建议在 UV 条件消失后如何使 DSG FET 保持关断。 谢谢。  此外、如果我们有示例展示如何堆叠3个 BQ77915、请提出建议? 谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Yue:

    数据表中的图26显示了流经电阻器的电流路径、该路径可能说明导致此行为的原因。 它们似乎在为 CHG FET 使用较小的栅极电阻器。 数据表建议使用3.3M 的更高值、以确保正确检测负载移除。 如果它们需要在 CHG 栅极上使用较小的电阻器以加快关断速度、则需要提高 LD 引脚电阻器的值。  

    也许他们应该在 LD 引脚电阻器上尝试3.3M 来查看它是否解决了问题。

    此致、

    Matt