你(们)好
我想使用此 MOSFET 设计一个电路、但我不知道如何实现栅极驱动器电路。
在数据表中有一个设计、但它未指定二极管齐纳二极管的参数、 我想知道我必须使用哪一个源来使栅极混同、它只是一个具有方波源电压的、达到所需的输入或更复杂的输入。
我想知道、我必须采用什么 V_GS、我可以使用最小值、或者、我必须使用 R_DS (on)的值。
我希望大家能理解我的问题、我对英语和电子产品不太满意。
~ Esteban。
您好 Esteban、
感谢您关注 TI FET。 我们的 P 沟道 FET 针对低频或静态开关应用进行了优化、例如负载开关和电池管理/保护。 CSD25202W15的绝对最大 VGS 为-6V。 栅极 ESD 二极管的齐纳电压约为-6.5V。 TI 不建议或保证 FET 在 VGS 大于数据表中指定的绝对最大值的情况下运行。 您必须提供至少-1.8V 的 VGS 以保证器件的导通电阻。 该 PFET 的内部栅极电阻标称值为31欧姆、不能以非常快的速度或高频率进行开关。
PFET 非常容易驱动。 通常、电源 连接到要切换的电压、栅极下拉至接地以打开器件、然后上拉至电源以将其关闭。 这可以与共漏极 FET 或共集电极 BJT 和上拉电阻器一样简单。 您还可以使用有源上拉和下拉驱动栅极。 可以包含一个大值(100k)栅源极电阻器、以确保 FET 在没有施加栅极信号时关断。
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