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[参考译文] CSD25202W15:MOSFET 的栅极驱动器必须使用什么源极或电路?

Guru**** 2380860 points
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963950/csd25202w15-what-source-or-circuit-i-must-to-use-for-the-gate-driver-of-the-mosfet

器件型号:CSD25202W15

你(们)好

我想使用此 MOSFET 设计一个电路、但我不知道如何实现栅极驱动器电路。

在数据表中有一个设计、但它未指定二极管齐纳二极管的参数、 我想知道我必须使用哪一个源来使栅极混同、它只是一个具有方波源电压的、达到所需的输入或更复杂的输入。

我想知道、我必须采用什么 V_GS、我可以使用最小值、或者、我必须使用 R_DS (on)的值。

我希望大家能理解我的问题、我对英语和电子产品不太满意。

~ Esteban。

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    您好 Esteban、

    感谢您关注 TI FET。 我们的 P 沟道 FET 针对低频或静态开关应用进行了优化、例如负载开关和电池管理/保护。 CSD25202W15的绝对最大 VGS 为-6V。 栅极 ESD 二极管的齐纳电压约为-6.5V。 TI 不建议或保证 FET 在 VGS 大于数据表中指定的绝对最大值的情况下运行。 您必须提供至少-1.8V 的 VGS 以保证器件的导通电阻。 该 PFET 的内部栅极电阻标称值为31欧姆、不能以非常快的速度或高频率进行开关。

    PFET 非常容易驱动。 通常、电源 连接到要切换的电压、栅极下拉至接地以打开器件、然后上拉至电源以将其关闭。 这可以与共漏极 FET 或共集电极 BJT 和上拉电阻器一样简单。 您还可以使用有源上拉和下拉驱动栅极。 可以包含一个大值(100k)栅源极电阻器、以确保 FET 在没有施加栅极信号时关断。

    您可以在以下链接中找到有关 TI FET 的技术信息。 您可以在此页面上找到技术文章、博客、培训视频、应用手册和 MOSFET 基础知识。 如果您有其他问题、请随时与我联系

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    感谢 John、他非常乐于助人、我们正在联系我们。

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    Esteban、欢迎您的光临! 我很高兴为你提供帮助。