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[参考译文] LM5060:振铃问题及其解决方法。

Guru**** 2553260 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5060

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1161796/lm5060-ringing-issues-and-how-to-solve-them

器件型号:LM5060

大家好、我使用的是 LM5060。 我对评估模块和我自己的原型有类似的问题。  

首先、我修改了评估模块、使其与以下内容类似:

我遇到的问题是、我的负载在本质上具有很高的容性、并且可以产生高达90A 的浪涌电流、而不包括任何 dv/dt 减慢、如下所示:

注意:黄色波形在开始时会下降、因为它由 PSU 供电、PSU 达到该电平的功率限制并降低电压易碎位。 为了进行这项调查、现在我们忽略它。

也就是说、FET 非常接近/略高于 SOA 限制、因此我为 C3添加了4700pF 电容器。
但是、当我这么做时、系统中增加了大量振铃(尽管您可以看到浪涌减少)。  

我怀疑这是因为栅极线路上由于增加了电容而形成 LC 谐振。  

我在线路上添加了一个2.2k 电阻器来抑制这种情况(由于芯片具有恒定电流源、因此无需担心慢速导通)。 我还为反向添加了一个二极管、如下所示:  

然而、这只是使我的电路立即发生故障、FET 从漏极到源极短路。  

请帮帮我。 请注意、添加 一个我需要连续运行的并联 MOSFET 会导致类似的振铃问题。  

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    您好、Nasir、

    感谢您的支持!

    我们将在下周初进行检查并重新开始。

    此致、

    Rakesh

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    您好、Hassan、

    为了解决启动期间的振铃问题、我建议您 在电路中添加以下元件、以帮助抑制栅极路径中寄生 L 和 C 之间的振荡。  

    • 每个 MOSFET 的栅极路径中的10Ω Ω 电阻和  
    • 添加与   dVdT 电容器(电路中的 C3)串联的100Ω Ω 电阻。  

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    Praveen、您好、我将测试以下内容并返回报告。 考虑到驱动器芯片上有一个恒定电流源(因此我不应该减慢 FET 的开关周期)、与二极管耦合的2k 电阻器在抑制振荡方面是否没有产生类似的影响?  

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    您好、Nasir、

    为了阻尼振荡、   不需要高达2kΩ Ω 的电阻值。 此外、每个 FET 的栅极路径中必须有电阻、以便两个 FET 的栅极之间的寄生振荡引起的振荡也被阻尼。   

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    您好 Praveen。 所建议的解决方案效果非常好、并且能够消除振铃。 非常感谢。 在类似的注释中、我有一个不同的问题。  考虑到我们有一个负载、当热插拔打开时它将开启、并且它本质上具有非常高的容性、因此给定的控制器并不是完全合适的。 借助我们的 FET、我们只需设法将其保持在 SOA 区域内、对于具有给定控制器的更稳健设计、则需要更昂贵的平面 FET (通常具有较高的 RDS、因此我们需要多个并联、因为我们的连续负载也很重要)。  
    您是否可以推荐任何热插拔控制器(库存合理)? 理想情况下、它控制功率限制或允许某种形式的预充电。 谢谢

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    您好、Hassan、

    了解建议的电路解决了您的问题。 我们将在明天回来回答您的其余问题。  

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    您好、Hassan、

    您是否考虑使用 dVdt (从门到 GND 的 R 和 C)电路? dVdT 电路将有助于限制启动期间的浪涌电流、并最终帮助您在 FET SOA 范围内启动/充电输出电容。

    如果您需要预充电功能、请查看我们的最新器件 TPS48111-Q1