我目前成功地使用 bq24616以3A 的最大充电电流为6S 锂电池充电。 系统中的电压输入通常为28V。 为了防止总线上的任何电压尖峰损坏 bq24616 IC、我在 bq24616充电电路前面放置了一个有源限压器电路。 下图显示了这方面的一个简化示例。 有源限压器设计使用 P 沟道 MOSFET、因此导通电阻大约为20mR。 在3A 充电电流下、只要此导通 MOSFET 不主动限制电压、其功率耗散就可以接受。 在系统级、如果输入电压升至30V 以上、控制 MCU 将停止充电。 该限制电路旨在允许 bq24616在输入过压事件期间能够承受但不会充电。
此设计的一项新功能要求是将充电电流增加到8A - 10A 范围内。 我担心串联电压限制电路(P 沟道导通 MOSFET)在充电电流较高时的功耗、即使电压限制电路未处于活动状态、 全开 P 沟道 MOSFET 的20mR RDS 仍将存在 、因此我现在将抑制几瓦的热量。 请参阅下图下半部分所示的"建议的连接方法"。 在这个建议的原理图中、有源电压限制器电路只需提供 bq24616本身的工作电流、主电池充电电流直接从输入电压总线获取(我在标题中称为 DC-link、 参考 SVPWM 中使用的术语、也称为 BLDC 电机控制器)。 我不希望 Vin 超过30V 的时间超过一段时间、但使用这种拓扑、我似乎可以在电流为10A 时继续充电、直到电压达到30s 和40s、如果出现这种情况(再说一次、它不会)。
这是一个设计更新、我希望尽可能减少铜的变化、从而尽可能降低项目风险。 我还理解、更改 bq24616的电源可能会带来自身风险。 我向 TI 专家提出的问题是、他们是否发现此建议设计有任何具体的注意事项或缺点。
提前感谢您的任何见解或建议、
将会
