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器件型号：TPS65130 您好：
在最后一个生产批次中检测到问题、以前从未见过。
原理图如下所示：
光绘的顶层和底层：
GND 始终位于内层。
正电源轨和负电源轨的功耗几乎相同、约为20mA。
在所有情况下、负电源轨中的波形都与预期的波形类似：
…μ A 交流电平约为50mV、与数据表图47中的交流电平非常相似：
但是、在这一批生产的几乎所有单元中、正电源轨的波形不是预期的那样、会产生非常高的噪声量：
…μ A 交流电平约为200mV、远低于数据表图46中的预期值：
一些单元很好、波形与数据表中的一个非常相似：
如果我们用旧生产日期的 IC 替换有问题的器件中的 IC、则可以解决问题。 如果我们使用同一卷带之一更换 IC、则问题仍然存在。
我们生产了十个单元的预量产批次、具有相同的硬件、但芯片较旧、没有一个存在此问题。
我认为问题与中的问题相同：
https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/p/671424/2473050?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=tps65130#2473050
请帮帮我。 有人看到任何问题吗？ 这一批器件是否有缺陷？
储罐。
