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您好!
我用这个芯片设计的电路工作正常、但是过热。 电压输入36V、电压输出6V 和1A。 我将一个6 Ω 负载连接到输出端、电流为1A。 我的原理图如下。 我还可以添加原理图和 PCB 设计。 PCB 是根据 TPS54360B 数据表中的建议设计的。
请向我建议一种方法。
此致。
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您好!
我用这个芯片设计的电路工作正常、但是过热。 电压输入36V、电压输出6V 和1A。 我将一个6 Ω 负载连接到输出端、电流为1A。 我的原理图如下。 我还可以添加原理图和 PCB 设计。 PCB 是根据 TPS54360B 数据表中的建议设计的。
请向我建议一种方法。
此致。
您好!
如果您共享您的波形、那就更好了。
根据您的原理图、您所需的开关频率是否为~1MHz? 或者您是否有外部时钟?
较低的开关频率将具有较低的开关损耗、较低的功率耗散和较低的温升。
您应该尝试以500kHz 的频率进行开关、但您必须调整电感器的大小。
从热性能的角度来看、您的顶层布局是可以的。
您可以尝试拉出一些自举电容器以增加 IC 和二极管周围 GND 覆铜的宽度。
二极管和 IC 的 GND 覆铜会产生大量散热、因此多边形面积越大越好。
请注意不要将自举电容器拉得太远、因为这很关键。
铜越厚也会提高热性能。
您有热感图像吗? 我不确定 TPS54360的接地覆铜南方是否太薄、瓶颈热是否会传播到该方向。
请告诉我、
-奥兰多
您好!
非常感谢您的帮助。 是1MHz 外部时钟。
我将频率更改为600kHz。 我更改了连接到 COMP 引脚和 RT/CLK 引脚的元件。 在此条件下、温度为65 摄氏度。
是否需要使用大尺寸 电感器或具有小内部电阻的电感器?
PCB 铜厚度为2oz。 我将尝试 增加 GND 覆铜的宽度。
我将添加 Attach。 随附 SW 信号图片和温度图片。
我正在等待您的评论。 请帮帮我。
此致。
您的切换看起来很好。 您的最大输出电流是多少?
我的意思是增加电感以调节纹波电流、降低开关频率将导致纹波电流峰-峰值增加。
现在、在600kHz 时为~1Apk-pk、在1MHz 时为~0.6Apk-pk。 它应该是最大 IOUT 的~30%。
较低的峰值电流意味着较低的交流损耗、并会对温度产生轻微影响。
电感器温度非常具体、许多数据表给出了温升与 DC-I 曲线。
仅使用 DCR 或封装将忽略材料属性、封装等
我认为、打开引导电容器并增加 GND 平面将最有帮助。
我很快读到 AN-1520 中提到了具有内部 GND 层的多层 PCB 有助于内部散热。
例如、TPS54360EVM-182具有两个内部 GND 层。
该应用手册的第6节总结了一些其他 PCB 布局技巧 、例如在 EP 下使用较大的通孔。
希望这对您有所帮助、
-奥兰多
通常、大电流电感器在较小电流下的温升较低、因此您可以尝试这样做。
此外、我还会避免使用短型或低厚度电感器。 较高的电感器通常在加热方面表现更好。
例如、这两个 Wurth 电感器既是8.2µH μ H、也是10x10mm、但温升与电流特性曲线非常不同。
我肯定会推荐使用更高的电感器、因为温升会小得多。
查找温度与电流间的关系曲线、或在选择电感器时从制造商处申请一条曲线。
-奥兰多
您好!
在 PCB 中、我更改了 LOUT、Cout 150uF 和肖特基二极管。 对于电流、LOUT 更大且更可靠。 COUT 150uF 必须具有非常低的 ESR。 选择了通道二极管的正向电压0.6和更低电压。 这在很大上有助于减少芯片上的热量。
还建议、芯片输出引脚面积较小。
我订购 EVM 模块以检查温升。 当我获取 EVM 时、我将再次编写注释。
使用热膏和更新 的 LOUT、Cout 150uF 和肖特基二极管、温度低至40度。 但我希望低于该值。 我希望尽可能降低温度。
您好!
降低开关频率应降低功率耗散、可能是从600kHz 到300kHz 或200kHz。
WEBENCH 建模可以估算 不同开关频率下的功率耗散、您可以将 TPS54360B-Q1 webench 模型用于非-Q1 TPS54360。
600kHz 时的 WEBENCH 功率耗散为~1.5W、200kHz 时的功率耗散为~0.9W。 此数据位于“操作值”->“类别”->“电源”下。
否则、从布局的角度来看、除了较厚的铜和更多的 GND 过孔之外、我不能推荐太多新信息。
-奥兰多