• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 12 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 438 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS65132S：VNEG 下降到大约150mA 输出

admin
Guru**** 2390755 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS65132, TPS65132S

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/951572/tps65132s-vneg-drop-under-about-150ma-output

器件型号：TPS65132S

尊敬的：

在这里、我的客户使用 TPS65132作为平板电脑 LCD 面板的偏置电源。 我们使用高电流应用。

VNEG 被设定为-5.7V、SYNC 为高电平。 我们发现、当高电流瞬态电源考虑纹波时、Vneg 下降约为425mV、约为140mA~210mA。 那么、这是否正常、您是否有任何建议将 Vneg 压降降低至大约100mV？ 谢谢。 如果需要150mA 的电流电源、您是否能帮助验证65132sEVM 上的实际 Vneg 压降值是多少？ 谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jiayu、

    是的、当电流增加到超过150mA 时、VNEG 下降是正常现象。 您可以尝试在 VNEG 输出上再添加10uF、看看它是否可以减少压降。  对于典型的 EVM 性能、请参阅数据表图93、其中显示了10mA-150mA-10mA 负载瞬态的 VNEG 下降。

    此致、

    辽卡特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好辽卡特，

    感谢您的回复。 这里还有两个问题：

    1) 1)如果在 VNEG 引脚中添加另一个10uF (完全20uF)、是否会产生不良的副作用？

    2) 2) 150mA 是指平均电流还是峰值电流？ 我是说客户的应用中会出现一些电流纹波。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、辽卡特、

    还有一个问题、

    3) 3)当客户将10uF 更改为20uF 时、VNEG 下降似乎只有14mV。 平均 Ineg 为150mA、我们是否有更好的建议？ 谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jiayu、

    流出 TPS65132S VNEG 输出的电流指定为150mA。 我在 EVM 上测量了0mA 负载和150mA 负载之间的输出电压差、仅为33mV、因此该器件的稳压非常好、达到150mA 的规格、但随着电流增加到超过155mA、 VNEG 的输出电压开始显著下降、并且在170mA 的负载电流条件下、我测得的压降为~500mV。 如果峰值电流超过150mA、则会出现明显的压降、如您所看到的压降。

    此致、

    辽卡特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、辽卡特、

    您是否使用电子负载测试了 EVM 负载瞬态？ 您设置的负载电流从0变为150mA 时的斜率是多少？ 我们使用 EVM 和 LCD 面板来查找远大于33mV 的压降。 我想知道它是否与斜率差有关？ 谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jiayu、

    我使用稳态负载进行测量、以了解输出电流能力、而不是负载瞬态。 如前所述、10mA-150mA-10mA 负载阶跃的负载瞬态性能如数据表图93所示、输出压降与我在稳定负载下测量的压降类似。

    此致、

    辽卡特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    i辽 卡特、您好！

    感谢您的回复。 还有一个问题、我们是否可以将 Cfly 从4.7uF 更改为10uF？ 经客户测试、发现10uF Clay 是可以的、它旨在实现与 另一个 P2P 设备的 BOM 兼容性、您知道 TPS65132已缺货。

    我们期待您的意见。 谢谢。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    根据数据表、电荷泵的飞跨电容值必须低于 REG 引脚上的升压输出电容。 REG 引脚上的升压输出电容为10uF、因此飞跨电容不能为10uF。 请参阅下面提供的数据表摘录中突出显示的部分。

    此致、

    辽卡特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     您好、辽卡特、

    谢谢提醒、如果客户坚持 正确、我想 Cfly 可以是6.8 μ F 或8.2 μ F、但要小于10 μ F。   

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jiayu、

    这是正确的、但由于更改电容器的整个过程是为了保持 BOM 与其他竞争对手器件的可组合性、因此6.8uF 或8.2uF 无法实现、因此将其从4.7uF 更改为4.7uF。

    此致、

    辽卡特

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

     您好、辽卡特、

    因为在将 Cfy 从4.7uF 更改为10uF 时、它对竞争对手器件上的 VNEG 尖峰有积极影响。

  • 0
    TI__Guru**** 2390755 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jiayu、

    如果升压输出端的电容器(REG 引脚)为10uF、则将 Cfly 更改为6.8uF 或8.2uF 应该是可以的。

    此致、

    辽卡特