Other Parts Discussed in Thread: BQ76930
你(们)好
客户使用两个 BQ76930级联 来设计20系列铁锂保护板。
在短路测试期间、发现 DMOS 之间存在瞬时高电压、电压约为120V、延迟时间为7.2uS、电容器 C37 (标记)损坏 和其他元件、如图所示。
(尝试在 B+/B-之间添加一个90V TVS 管并在 B-/P-之间添加一个肖特基二极管无效)
随附的数字标记表明组件易于损坏。 故障率约为0.5~1%
请提供一些建议。
谢谢你
星号
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
Other Parts Discussed in Thread: BQ76930
你(们)好
客户使用两个 BQ76930级联 来设计20系列铁锂保护板。
在短路测试期间、发现 DMOS 之间存在瞬时高电压、电压约为120V、延迟时间为7.2uS、电容器 C37 (标记)损坏 和其他元件、如图所示。
(尝试在 B+/B-之间添加一个90V TVS 管并在 B-/P-之间添加一个肖特基二极管无效)
随附的数字标记表明组件易于损坏。 故障率约为0.5~1%
请提供一些建议。
谢谢你
星号
尊敬的 Star:
在 TI 原理图中、C51和 C52是一对串联连接。 在客户原理图中、它们连接了中央的电容器。 如果它们遵循 TI 原理图、则允许在两个电容器上进行电压分压、因此120V 应在每个电容器上仅提供60V 电压。
在 TI 原理图中、R90用于降低开关速度。 这可能会有所帮助。
我们不确定 Q31和 Q32是如何损坏的。 可能有必要在示波器上对此进行捕获、以查看正在发生的情况。 D42二极管的额定电压是否高于100V?
此致、
Matt
尊敬的 Star:
这两个串联电容器用于 ESD 保护。 如果将2串联、则如果一个发生故障(短路)、另一个仍然存在以提供保护。
本文档讨论了如何在 FET 上使用电容器进行 ESD 保护(请参阅第3节): https://www.ti.com/lit/an/slua368/slua368.pdf
此致、
Matt