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[参考译文] CSD17484F4：VGS 最大规格是否适用于电路中可能的最大 VGD 电压

admin
Guru**** 2529560 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/952371/csd17484f4-vgs-max-specification-whether-it-applies-to-maximum-vgd-voltage-possible-in-circuit

器件型号：CSD17484F4

您好！

我们计划在设计中使用 CSD17484 MOSFET。

它将在多个位置使用、  

在其中一个电路中、漏极可上升至15V 峰值(很少情况下、典型值始终保持@ 13.2V)、源极为 GND、栅极将被驱动为0V 或3.3V。

在本例中、我们有时会看到 VGD 高达-15V (短时间内的最坏情况)。

我没有在数据表中看到 VGSS 规格(VGSS -最大带漏极和源极的 VGS 短接)、  

是最大电压 VGD =-15V 将对此 MOSFET 产生问题(能否使用 VGS 最大规格来比较 VGD 最坏情况下的电压)。

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    TI__Guru**** 2529560 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    感谢您关注 TI FET。 按照所述操作 FET 时应该没有问题：VDS = 15V 且 VGS = 0V (即 VGD =-15V)。

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    谢谢 John、

    还有一个疑问、

    以进行验证

    MOSFET 是否支持电路的最大 VGS - VGS/VGSmax 规格

    对于电路中的最大 VDS -可用的 VDSS/VDSmax 规格、

    MOSFET 数据表中是否有任何规格可提供 MOSFET 可承受的最大 VGD 信息、或者我们是否可以从 VGSmax 和 VDSmax 规格中扣除一些值、如 VGSmax-VDSmax、以获得 VGDmax。

    我的印象是、VGS max 是栅极到源极还是栅极到漏极之间常见的栅极到漏极击穿规格-我是对的吗？

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    您好！

    我已经咨询过我的同事。 正确的是、最大 Vgs 额定值是为了防止栅极氧化物击穿。 基本上、当栅源极偏置时、一些电流通过氧化层。 然而、即使在最大 Vgs 情况下、此电流注入的电荷量仍远低于 QbD (击穿电荷)、从而使栅极的长期可靠性不会受到任何威胁。

    但是、当 Vgs 超过最大额定值时、隧道电流会呈指数级增长、栅极的稳健性无法再得到保证。

    栅极相对于漏极和源极的位置的内部几何形状决定了大多数应力将从栅极吸收到源极、而不是从栅极吸收到漏极。 换言之、最大 VGD 与最大 Vgs 不同、并且比最大 Vgs 大得多、因此始终会首先超出最大 Vgs 或最大 Vds。

    TI 不指定或测试 VGSS。 在 VDS = 15V 和 VGS = 0V 的情况下运行 FET 不存在风险或问题。

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    谢谢 John、

    这让我毫无疑问、

    我正在查看数据表参数中 VGDmax 的任何近似定量评估、如可能的最大值(VGS、VDS)的80/120/150%。

    我预期它<VDmax、因为栅源极间隙为0.2mm、封装中漏极到栅极间隙为0.4mm (粗近似值为 VGDmax =~2*VGSmax)。

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    您好！

    恐怕我没有任何有关 VGDmax 的附加信息或数据可供分享。 如果您可以分享有关该应用的更多详细信息、或许我可以提供更好的支持。 如果没有、那么我将关闭这个线程。

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    TI__Guru**** 2529560 points
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    感谢 John、我获得了足够的信息来继续。 我紧张了你的时间-再次感谢。

    我无法通过开放论坛共享应用信息。