在 PH 和 GND 之间测量的电压比 VIN 低~8伏(在我的 PCB 设计中)。 内部 MOSFET 上的压降电压似乎很高。 在网站上运行我的仿真设计、我获得与输入电压相同的电压(PH 到 GND)。 TPS54160A 具有一个集成的启动稳压器,允许 MOSFET 栅极高于输入电压。 您能帮助我了解我遇到的现象吗?
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
负载介于0.1A 至0.5A 之间。
黄色-输入电压54.8V
紫色-在 PH 上测得、与 VIN 相比低~8伏
在 PH 和 GND 之间测量的电压比 VIN 低~8伏(在我的 PCB 设计中)。 内部 MOSFET 上的压降电压似乎很高。 在网站上运行我的仿真设计、我获得与输入电压相同的电压(PH 到 GND)。 TPS54160A 具有一个集成的启动稳压器,允许 MOSFET 栅极高于输入电压。 您能帮助我了解我遇到的现象吗?