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[参考译文] LM73605:EMI 或 SW 噪声抑制解决方案

Guru**** 2386600 points
Other Parts Discussed in Thread: LM73605
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/951966/lm73605-emi-or-sw-noise-inhibition-solution

器件型号:LM73605

嗨、大家好

我们的客户使用 LM73605来实现5A DCDC。 关于 SW 振铃抑制、他们认为在 VIN 和 SW 引脚之间添加一个 RC。  如下所示。 您能帮助我了解如何实现 SW 振铃抑制吗? 是否有任何计算文档? 我想我们应该在 Cboot 和 SW 之间添加这个 RC、或者在 SW 和 GND 之间添加 RC 缓冲器。 对吧?  

它们的解决方案是否可以抑制 EMI。 如何选择 RC 值?

谢谢

-彭芬

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    文森特

    请参阅以下博客和应用手册、

    https://e2e.ti.com/blogs_/b/powerhouse/archive/2016/05/05/calculate-an-r-c-snubber-in-seven-steps

    https://www.ti.com/lit/an/slyt465/slyt465.pdf

    希望这对您有所帮助、

    -奥兰多

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    你(们)好,奥兰多

    非常有用的论文。 但这些仅关注启动电阻器、高侧栅极电阻器或缓冲器。 它没有解释我的问题。 您能否通过在 FET 或 整流器二极管上放置缓冲器来帮助比较哪一个更有效? 还是对 EMI 有相同的影响?

    谢谢

    -彭芬

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    Pengfei、

    缓冲器应放置在 SW 到 GND 之间的低侧二极管/MOSFET 上。

    切勿在 BOOT-SW 环路中放置任何额外的东西。

    我们绝不会将缓冲器置于 VIN-SW 的高电平上。 我认为这可能会很糟糕、因为它会将 VIN 和 SW 节点进行交流耦合。

    -奥兰多