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[参考译文] BQ25703A:双路 TPS65988 + BQ25703A 原理图审阅请求

Guru**** 2331900 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A, TPS65988, CSD17578Q3A, CSD87330Q3D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/939277/bq25703a-dual-tps65988-plus-bq25703a-schematic-review-request

器件型号:BQ25703A
主题中讨论的其他器件: TPS65988CSD17578Q3ACSD87330Q3D

大家好、我想请求查看我们的几个原理图部分。

我们有一个使用两个 TPS65988DJRSHR 和一个 BQ25703A 的4类 C 端口设计。


我们可以请求开始离线或非公开讨论、让 TI 工程师了解我们的设计吗?

谢谢你

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    您好 OAC、

      请参阅此文档、以帮助您查看原理图:  

    包含所需不同无源组件的说明。 用户指南也是一个有用的资源。 对于 TPS65988部分、请创建一个标题中包含该器件型号的单独帖子、并将其分配给负责 Type-C 产品的专家。

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    谢谢你。
    我们将再次检查是否遵循了原理图检查清单。 团队可能已经这样做了、但我们现在将确认。

    我们现在将此请求保持开放状态、在我们确认清单后、我们将再次请求审查。 谢谢你。

    关于 PD 控制器、其电路是 i2c 连接到充电器、因此我们假设将它们包含在同一请求中、但我们可以单独提交该请求。


    谢谢

    OAC

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    您好 OAC、

      由此给您带来的不便、我们深表歉意。 我们有单独的产品管理团队、因此该团队将有 PD 产品专家、我们将是电池充电器产品专家。 我将使该线程保持打开状态。

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    完全没问题! 我很幸运能得到你的帮助。

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    好的、谢谢、我们已经完成了原理图审阅并提出了一些问题。 我们是否可以对以下内容发表意见?

    我们设计中的 C24和 C35目前是33uF 陶瓷电容器。 建议是33uF 钽电容器。 由于空间原因、我们使用了1206封装陶瓷。 对吧? 或者不是?

    2.对于 HIDRV1、LODRV1、HIDRV2和 LODRV2,建议使用 CSD17578Q3A MOSFET。 我们使用的是 CSD87335Q3DT。

    3.为2S 电池设置 CELL_BATPRESZ 电阻分压器(我们的电池为2S2P)。 因此、要设置 ILIM_HIZ:

    目前 R16为150k、R15为100k。 从而将 VILIM_HIZ 电压转换为2.4V。  输入电流限制为~3500mA。

    这是否正常? 如果需要、我们还可以根据数据表从寄存器设置更改此值。

    使用 PSYS、典型值30.1k。 PSYS 比率在寄存器设置选项中也是可编程的?

    我们使用的电池如下所示:

    www.rrc-ps.com/.../DS_RRC2057.pdf


    谢谢

    OAC、

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    好的、谢谢、我们已经完成了原理图审阅并提出了一些问题。 我们是否可以对以下内容发表意见?

    我们设计中的 C24和 C35目前是33uF 陶瓷电容器。 建议是33uF 钽电容器。 由于空间原因、我们使用了1206封装陶瓷。 对吧? 或者不是?

    2.对于 HIDRV1、LODRV1、HIDRV2和 LODRV2,建议使用 CSD17578Q3A MOSFET。 我们使用的是 CSD87335Q3DT。

    3.为2S 电池设置 CELL_BATPRESZ 电阻分压器(我们的电池为2S2P)。 因此、要设置 ILIM_HIZ:

    目前 R16为150k、R15为100k。 从而将 VILIM_HIZ 电压转换为2.4V。  输入电流限制为~3500mA。

    这是否正常? 如果需要、我们还可以根据数据表从寄存器设置更改此值。

    使用 PSYS、典型值30.1k。 PSYS 比率在寄存器设置选项中也是可编程的?

    我们使用的电池如下所示:

    www.rrc-ps.com/.../DS_RRC2057.pdf

    谢谢

    OAC、

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    您好 OAC、

    1. 推荐使用钽的原因是考虑陶瓷电容器随电压的降额。 在考虑降额后、只要有效电容处于有效范围内、就可以了
    2. CSD87335具有用于 LSFET 的低 Rdson、这有助于减少传导损耗、但我们的转换器使用在 LSFET 上感应到的电压、因此该 FET 上的 Rdson 太低可能会导致感测 FET 上的 DV 时出现问题。 我建议为 SYNC/LSFET 选择具有稍高 Rdson (~8-10m Ω)的 FET。
    3. 这应该是好的。 主机可以始终在稍后更新输入电流限制。
    4. 是的、可以对 KSYS 比率进行编程。

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    您好!

    谢谢! 我们根据尺寸要求选择了 MOSFET。。 因为它是一个小型电路板..

    我们需要3.3mm x 3.3mm 或更小的东西。

    CSD87330Q3D 是否可接受? (9.3-11m Ω 导通电阻)

    谢谢!

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    您好!

      这是可以接受的。  

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    谢谢!