[参考译文] BQ24650：BQ24650RVAT：MOSFET 开关且一个 MOSFET 烧断时的高电流峰值

由于我不确定第一张图片是否出现、以下是图片：

您好 Kedar、

开关 MOSFET 为 SVD5865NLT4G

此致

您好、Aurelie、

  您能否在 BTST 引脚和 C112之间添加一个电阻器并重新测试？ 该电阻器与 EVM 用户指南中的 R14等效。

尊敬的 Kedar：

我在 eboard 上添加了补丁并再次进行测试。 我在 Q12栅极以及 D16、C112和新电阻器之间的点观察到这种信号：

充电不再工作。

您好、Aurelie、

 附件未通过。 我看不到图像。

尊敬的 Kedar：

我希望这种附加装置这次能够发挥作用。

此致

您好、Aurelie、

  看起来栅极驱动存在问题。 信号未在大力打开/关闭 MOSEFT。 HIDRV 应由 BTST (VBTST = VIN + VREGN) w.r.t GND 驱动、因此 HSFET 的 VGS 由 REGN 大力驱动。 LSFET 由 REGN 直接驱动、因此 VGS = REGN 作为 LSFET 的源端以 GND 为基准。 此问题可能会导致 HSFET 缓慢关断、从而导致击穿、因为 HSFET 和 LSFET 均处于导通状态时会出现短暂的瞬间、这是从适配器到 GND 的低电阻路径。 这并不理想。 我建议重新访问您的布局并重点关注 HIDRV 和 LODRV 的布局。 您应该使用短而干净的布线、而不会通过多层布线过多、还应避免在短而宽的高频 PH 布线附近布线。

我还建议获取 BQ24650 EVM 并根据您的系统条件进行配置和测试。