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[参考译文] BQ25710EVM-017：低侧栅极驱动器负载

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: PMP40441, CSD17551Q3A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/944812/bq25710evm-017-low-side-gate-drivers-load

器件型号：BQ25710EVM-017
主题中讨论的其他器件：PMP40441、 CSD17551Q3A

你(们)好 您能否解释一下在低侧 MOSFET 的栅极额外增加150pF 电容器(C19和 C20)的用途？ 我在n`t 表和相关文档中看不到任何相关内容。 在另一个原理图(PMP40441)中、低侧降压晶体管和 RC 缓冲器的栅极仅有一个附加电路。  在第一种情况下、看起来会减慢导通/关断 MOSFET 的速度(规格中的总栅极电荷为6nC 加上额外的 GS 电容)、反之亦然(规格中的总栅极电荷为3.9nC 加上额外的充电/放电电电流泵)。 谢谢！

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Alex、

    与 Q2的 CGD 相比、C19和 C20的大小可提高有效的 CGS。 这有助于防止米勒电容在高 dV/dt 事件期间驱动 MOSFET 栅极。 当 Q2的 Qgs 和 Qgd 的幅度相似时、这一点就更加重要。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    你好，老虎！ 非常感谢！ 您能就该问题提出任何相关文档或指南吗？ 我知道 CGS 始终大于 CGD。 在相关的 CSD17551Q3A 数据表曲线中、CGD 的最高值约为150pF、Ciss 同时为1nF。 我使用 IDP090N03L 模型(CGS=1.16n、Cgdmax=0.28n)在 SPICE 中模拟高电压脉冲情况、但未看到使用额外电容器时的任何变化。 我可能对此有什么问题吗？

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您的方法非常好、系统。 它们是可选的占位电容器。