[参考译文] LM5145：原理图审阅

您好、Cho、

感谢您发送文件。 以下是一些注释：

1. 对于输出电容器、1000uF 似乎过大、为什么这么高？ 在300kHz (高 ESR 和 ESL)的开关频率下、它将提供极少的滤波。 此外、检查 ESR 是否随温度变化、因为这将影响补偿。
2. 考虑在高侧使用5 x 6mm 的 FET、例如 CSD19534Q5A 100V NexFET、以在10A 负载下实现更好的热性能。
3. 在25%占空比的情况下、对于低侧 FET、BSC117N08的 Rdson 有点高。
4. SYNCIN 已经有一个20k 到 GND 的内部连接(如果需要、考虑添加一个上拉选项来启用 FPWM)。
5. 考虑添加输入 EMI 滤波器(不确定是否需要 NTC 电阻器、大多数设计不包含这些电阻器)。

此致、

Tim

听起来不错、Cho。 EVM 中还使用了这些80V Infineon FET。

如果您需要进一步查看、请发送更新的快速启动文件和最新原理图。

此致、

Tim

曹

如果您需要有关审阅的进一步帮助、请告诉我。如果需要、请发送最新文件进行审阅(快速入门和原理图)。

此致、

Tim

好的、Cho。 我现在要关闭这个线程。

此致、

Tim