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[参考译文] TLV742P:体二极管额定值

Guru**** 2382630 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV742P
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/948592/tlv742p-body-diode-rating

器件型号:TLV742P

您好!

此器件上体二极管的 OUT 至 IN 额定值是多少?

TLV742P 在评估时损坏。 IN - OUT 短接。
我认为体二极管误差的可能性。

确认外围电路后、出现了一个超时>进入关闭序列的时间。
在5-10秒内有几 mA 的反向电流流动。

请告知导通 MOSFET 体二极管的最大额定值。
我想了解破裂的原因和对策。

Hayakawa

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    Hayakawa 您好、

    为了限制损坏 LDO 的机会、反向电流应限制为额定电流的5%、对于 TLV742、该额定电流为10mA。  

    您可以在 TI.com 上的这篇技术文章中找到有关反向电流和保护 LDO 免受反向电流影响的应用拓扑的更多信息。  

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    您好!

    我知道反向电流限制为5%。

    该百分比是直流值?

    下面的脉冲反向电流是否有可能破坏体二极管?

    如果二极管随反向电流变化、请告知其速率为脉冲或直流。  

    此致、

    Hayakawa

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    Hayakawa 您好、

    是的、5%的值是直流电流。  

    对于脉冲、我们预计最大值会更高、但它将取决于脉冲的持续时间、但我们没有一种好的方法来定义这种情况下的安全值。

    上面的示波器截图显示了几百微秒内的~30mA、而我的直觉反应是、如果这是器件将看到的绝对最差反向电流、并且不会经常发生、那么我希望器件能够承受这种情况。 您将需要验证器件是否仍然符合应用要求、但根据我看到的大量情况、我不希望这一事件破坏 LDO。 话虽如此、我建议实施我之前所附文章中提到的保护方案之一、以确保器件在未来不会损坏。  

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    您好!

    感谢您的建议。
    当然,我会推行保障计划。

    请告诉我参考。
    例如,如果脉宽为1ms,体二极管允许的损耗可以承受多少电流?

    Hayakawa

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    Hayakawa 您好、

    根据我在许多不同 LDO 上看到的情况、假设 不经常发生、我预计它可能在~50mA 下承受1ms 的时间。