[参考译文] TPS65132：I2C 读取问题(可能的勘误表？) 并且可以#39；t 将电流设置为80mA。

您好！

我们将审查您的帖子、并在接下来的几天内向您提供任何反馈。

此致、

辽卡特

您好、Anika、

没有勘误表、此器件型号下只有一个器件版本、已售出数百万个、因此我确信器件本身一般没有问题、但让我们尝试调试您看到的内容。

首次上电时、如果不对 TPS65132W 器件进行任何写入或读取操作、则正负电源轨会达到多少电压？

您提到负电源轨不会出现。 这是否意味着负电源轨上存在零伏电压或其他电压？ 如果您断开负载并在正负电源轨上都有零负载、那么在这种情况下负电源轨会出现什么情况？ 在本例中、电压是多少？

即使不将 APPS 位设置为80mA 模式、负电源轨仍应达到一定的电压、即使其上存在60mA 的过载条件。 因此、我想弄清楚导轨根本不会出现的原因。

尽管此应用的原理图非常简单、但您能否仍附上原理图、以便我可以快速查看、仅以确保无原理图问题。

至于 I2C 寄存器的读取、是否可以在您拥有的器件中将所有 EEPROM 寄存器设置为0x00？ 当您使用 I2C 命令更改正电源轨上的电压时、您能否捕获该 I2C 写入序列、以及捕获同一寄存器(寄存器0x00)的 I2C 回读序列、而不在这两个操作之间执行任何其他 I2C 事务？

让我们根据上述问题的答案进一步进行调试。

此致、

辽卡特

感谢您、

很高兴听到有关勘误表的信息。

新芯片在 VPOS 轨上提供+5.4V 电压。 当使用100欧姆测试负载连接到 GND 时、负电压会在-1.2V 时升高-电路连接的电压甚至更低、但我没有确切的测量值。

以下是一些测试结果：

>零负载时，VNEG 轨会达到所需的电压。

>在 VNEG 上具有100欧姆负载(主电路断开)，电源轨达到~-1.2V。   

>I2C 命令可以写入器件，电源轨会进行响应。 重新为电路板通电设置保留、因此 EEPROM 写入似乎正常。

>在 VNEG 上具有100欧姆的负载，并向应用寄存器写入1，电压轨可达到~-2.5V。   

>I2C 读取命令始终为零，不管怎样。

>多个电路板上的条件相同。

>已尝试反激式3.3uF 和10uF。 建议从数据表中删除2.2uH 的1269器件。

请查看随附的原理图。

请告诉我您对此有何看法。

您好、Anika、

感谢您发布原理图和我的其他问题的答案。 我查看了原理图、看起来不错。 我可能建议的唯一修改是将 C77降低到4.7uF、但您似乎已经为此电容器尝试了几个不同的值。

此外、请注意、TPS65132W 出厂时已编程为默认80mA 模式、因此无需在您的应用中对其进行编程。

我在 I2C 总线上没有看到任何上拉电阻器、但由于 I2C 写入工作正常、我假设电阻器位于该总线上的其他位置。 这些上拉电阻器的值是多少？

尽管我不明白为什么这会是个问题、但您使用2x10uF 作为负电源轨的输出电容、而 EVM 使用1x10uF。 作为实验、我是否可以建议仅使用1x10uF 来查看它是否以任何方式改变了行为？

坦率地说、我没有从原理图上看到任何问题、所以我唯一的猜测是有缺陷的器件或其他一些与电路板相关的组装问题。

此致、

辽卡特

大家好、我尝试了对输出端的容性负载进行实验、VNEG 没有变化。 奇怪的是、我们的两个样片板上的行为完全相同。  

您是否介意检查器件上的日期代码以查看是否有任何响铃？ 下面的芯片上标记：

65132YA  

TI 9CI

A45R

这一个让我感到意外、因为 PCB 布局也非常直接...

通过 I2C 图可以看到 I2C 的上升时间非常好-我们使用的是4K7。

此外、您是否会在我的帐户上启用样片订单、以便我可以通过 TI 样片页面(目前正在拒绝我)订购一些样片？

谢谢！！

您好、Anika、

由于您提到可穿戴设备零负载时、VNEG 会以适当的电压升高、因此我认为 FB7和 FB8在直流时可能没有真正的零电阻、这可能会导致两端的压降过大。 您能否仔细检查负电源轨上 FB7之前的电压变化？

遗憾的是、我将无法为您提供大量跟踪代码或启用样片。 为此、您需要联系当地的 TI 销售办事处。

为了使进一步的调试更简单、您还可以考虑在以下位置订购此器件的 EVM：

此致、

辽卡特

是的、在 VNEG 上使用100欧姆负载进行的所有测试都没有安装 FB7、并且在输出电容器上使用负载

我认为只有两种选择；我们从供应商那里获得了缺陷器件、或者存在一些硬件问题。

很遗憾听到您无法为我们提供样片支持。

您好、Anika、

是的、 我认为我们已经尝试过可能的问题、因此您可能正确解决了缺陷器件或某种类型的电路板组装问题。 由于我目前没有其他建议、我将关闭此主题。 如有任何疑问、请随时打开另一个主题。

此致、

辽卡特

您好！

遗憾的是、EVM 存在完全相同的问题。

请您是否能够在 VNEG 和 VPOS 固定为100Ohm 负载的 EVK 上自行测试此情况？您应该看到我们的意思？

台式电源设置为超过1A @5V、VNEG 和 VPOS 上的100欧姆负载、无论 EEPROM 和 RAM 设置如何、VNEG 轨都只能使电压达到大约-2.5V。

*注意：如果我们完全断开负载，则为电路板加电-5.4V 变为活动状态，然后当我们连接100欧姆负载时，它保持在-5.4V 并消耗适当的负载电流(在实际应用中显然是不可接受的)

VNEG 轨可能会出现一些启动问题。  

请帮助设置一些与启动时序相关的机密寄存器？ 还是负载设置？

谢谢！

您好、Anika、

感谢您的更新。 我将于9月28日星期一在 EVM 上对此进行研究、并将对您进行更新。

此致、

辽卡特

您好、Anika、

感谢您的耐心等待。 根据您对问题的最新描述(*注意： 如果我们完全断开负载、则为电路板加电-5.4V 变为有效、然后当我们连接100欧姆负载时、它保持在-5.4V 并消耗适当的负载电流)、通过我在 EVM 上的测试、我认为我了解正在发生的情况。 基本上、TPS65132W 在启动的软启动阶段具有电流限制、从而将启动期间 TPS65132W 的电流限制为约25mA。 我复制了数据表第8.3.5.2节中的以下相关说明

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CPN 集成了软启动功能、可在选定模式(40mA 或80mA)、输出电压和输出电容值定义的时间内缓慢斜升其输出电压 VNEG。 对于 TPS65132Ax 和 TPS65132Bx (TPS65132B2除外)、在40mA 模式下为输出电容器充电的启动电流为50mA、在80mA 模式下通常为100mA。 对于 TPS65132B2、TPS65132Lx、TPS65132Tx 和 TPS65132Wx、典型斜升时间减慢4倍(即40mA 和80mA 模式下的典型输出电流分别为12.5mA 和25mA)、浪涌电流也减少约4倍。

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负电荷泵的满电流 仅在软启动阶段启用、在此阶段、输出电容器已充电且负电源轨已达到其调节电平。 正如我在上面复制的数据表说明中所解释的那样、TPS65132系列中的一些其他器件(例如 TPX65132Ax、TPS65132Bx)具有比 TPS65132W 更高的软启动电流限制。

您观察的是器件的预期行为。

此致、

辽卡特

您好、辽卡特、哇、这里有一个非常奇怪的设计、即除非在加电期间控制负载、否则无法实际使用指定的器件输出电流。 本质上、这使得大多数应用在电流为80mA 时无法使用该器件。 现在我们似乎有超过一千美元的垃圾原型板、因为 QFN 的唯一部分似乎是 W 变体。  

不是很好。

您好、Anika、

我对您的原型板情况感到遗憾、但该器件的"W"版本专为通过降低软启动电流限制来降低浪涌电流而设计。 由于我们最终得出了导致您所观察到的问题的原因、因此我关闭了此主题。 如果有任何其他问题、请随时打开新主题。

此致、

辽卡特