[参考译文] BQ24610EVM：如何选择 D1？

您好 Jamie、

 在选择自举二极管时、充电电流和输出电压无关紧要  

对于 D1自举二极管、请选择具有以下特性的二极管：

• 额定直流阻断电压高于电源电压(VCC)、但有一定的裕量。 您需要考虑系统中的振铃、当 HSFET 导通时会看到振铃、因为当 HSFET (Q3)导通时、自举二极管将反向偏置以防止反向放电至 REGN。 对于 EVM、由于 BQ24610的额定输入电压为28V (建议的最大工作输入电压)、因此使用了直流阻断电压为40V 的 D1二极管。
• 使用 sckotky 二极管
  • 二极管导通损耗和反向恢复损耗都会影响栅极驱动器的总损耗、在计算栅极驱动器 IC 功率耗散时必须考虑这些损耗。
    • 选择具有低正向电压的二极管以降低导通损耗(肖特基具有较低的正向压降)
    • 肖特基二极管可提供快速恢复时间。 这意味着存储的少量电荷可用于高速开关应用。
• 流经自举二极管的峰值电流是 LSFET 导通时的电流、REGN 对自举电容器充电、由 IPEAK = Cboot * dV/dt 给出
  • Cboot = 0.1uF
  • dV = 6V (REGN 正在为自举电容器充电)
  • DT =开关频率  
  • 您可以选择一个自举二极管、其正向额定电流大约大于此理想峰值电流计算值。 D1使用480mA 正向电流额定值、这很好。