[参考译文] LMG3410R050：所需的 GaN VDS 最小值

非常感谢您的快速回复 Yichi。

我们计划设计一个新工具、用于验证我们的主板电压稳压器。

我们通过该 GaN 灌入电流、以模拟处理器行为。 以便验证平台 VR。

我们的 VDD 大约为0.75V 至1.5V、最大电流大约为220A 我们可以考虑在这里执行并行化。

如果我计划将1A 驱动至1.005A、那么我可以使用该 GaN 实现的分辨率是多少？ 这一小步能否实现？

考虑 GaN 的主要原因是、我们需要非常高的上升时间要求、更大的电流和更小的面积。

谢谢、此致、

Bhanuprakash Nayak

您好 Bhanuprakash、

电流是否仅为一个短脉冲？ 每个脉冲220A 电流的持续时间是多少？

是可实现1A 至1.005A 的电流。 我认为、这对于您控制电源有更多的作用、因为 GaN 一旦打开、它就可以驱动任何电流过它。  

对于我们的 GaN、我们可以实现大约100V/ns 的压摆率。 您的上升时间要求是什么？ 此外，我不知道这里的房地产陈述的最新程度和较少程度。 您能详细说明一下这些吗？

此致、

您好、您好、Yichi、

它不会是一个短脉冲。 这是持续电流。 我们还有脉冲电流要求、但我的理解是 GaN 可以很好地管理这一要求。

当您筛选"可以实现1A 至1.005A 的电流。 我认为这需要做更多的事情来控制您的电源"、您的意思是从漏极流向源极的所有电流完全取决于
在栅极驱动上而不是 VDD 连接到的电压上？

100V/ns 足以满足我们的设计需求。 我们目前正在使用 MOSFET、占用的面积更大、电流限制更小。 我们使用运算放大器来驱动 FET 的栅极。

在 SOA 图中、规格定义高达600V、较低的电压值不太清楚。 我的理解是、VDS 完全取决于通过 Rds-on 的电流。
那么，如何通过 VDS 实现600V？

我们将把1V 电压连接到 VDD、栅极将由 OP-AMP 驱动、能否驱动12A 持续电流？

谢谢、此致、
Bhanuprakash Nayak