您好!
我将按照应用手册的建议使用该器件、但有关反向电流的信息不清楚。
在反向电流期间、源极电压会高于栅极(或足以关断 MOSFET)。
因此、反向电流将在较短的时间内流经 MOSFET 体二极管、直到漏极电压(Vin)等于(一个二极管压降更小)源极、从而再次导通 MOSFET。
是否会导致任何问题。
我的应用中的热插拔电路位于电机和负载突降之间、当电机处于 REGEN 模式时、电流反向流动。
谢谢你
Siva
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您好!
我将按照应用手册的建议使用该器件、但有关反向电流的信息不清楚。
在反向电流期间、源极电压会高于栅极(或足以关断 MOSFET)。
因此、反向电流将在较短的时间内流经 MOSFET 体二极管、直到漏极电压(Vin)等于(一个二极管压降更小)源极、从而再次导通 MOSFET。
是否会导致任何问题。
我的应用中的热插拔电路位于电机和负载突降之间、当电机处于 REGEN 模式时、电流反向流动。
谢谢你
Siva
您好、Siva、
在这种情况下、漏极电压跟随源极电压(通过体二极管或 MOSFET 通道、如果 MOSFET 已经处于导通状态)。 除非控制器看到 OV、UV 故障、否则控制器始终将 Vin+12V 处的栅极电势偏置。
您可以使用仿真工具来验证 http://www.ti.com/product/LM5069/toolssoftware
此致、Rakesh