This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] BQ25505:超低功耗运行

Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25505
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/898926/bq25505-ultra-low-power-operation

器件型号:BQ25505

我们设计了一款能量收集器件、可在100nA 时生成0.6V 电压(类似于论坛上的另一个问题)。 我们可以堆叠多个器件以获得>2V 的电压、但不确定我们是否可以满足 BQ25505的总功率输入要求。 对于静态电流、Vin 和引脚有几个问题。

  1. 静态电流:当输入电压为0V 且 VSTOR 为2.1V 时、平均电流为325-400nA。  

  1. 325nA 的平均值是在多长时间内得到的?  

  2. 该电流是近似连续的还是有占空比? 如果是占空比、它是固定的还是可编程的?

  3. BQ 电路是否从任何连接到 VSTOR 的源(例如 VBAT_SEC 上的超级电容器、用于处理负载)汲取该电流?

  4. 如果 VSTOR < VSTOR_CHGEN、且 Vin 为0或<100mV、这会如何影响静态电流? ‘电路在此时是否有效地“关闭”,直至 Vin>Vin (CS)?

  5. 如果电路从 VSTOR 消耗电流、且电路在 VSTOR 时有效关闭 VSTOR_CHGEN 和 Vin=0?

  • 静态电流范围:  

    1. 在占空比时间(以 ms 为单位)下、我假设静态电流消耗有效为325nA、但静态电流的实际范围是多少(例如0-1uA)? 例如、我们可以处理1uA 的占空比非常低(例如1%或更低)。

    2. 该范围高端电流消耗的持续时间是多少(例如、1uA 时为0.2ms)?

  • 数据表更改

    1. 我们购买的评估板 BQ25505的数据表自那时起进行了修订(版本日期为2013年9月)。  最近的修订版本(2019年3月修订版 F)存在一些重要差异。
    2. 冷启动的 VIN 从330mV (最小值)更改为600mV (典型值)/700mV (最大值)。 这是否反映了对规格的修正、还是设计更改? 如果我们订购更多芯片、它们是否会出现700mV 的冷启动/正常充电情况?
    3. 对于冷启动和正常充电的最小功率输入、同样的问题。 旧 PIN 为5uW,但最新版本显示为15uW。
  • 电压和功率要求:为了确保我完全理解 Vin 和引脚要求-  

    1. Rev F 数据表中的输入电压为600mV (典型值)。 但是、我的 BQ25505评估板成功进入冷启动和升压器充电状态、电压仅为340mV。 那么、再说一次、数据表的更改是否反映了对冷启动 Vin 电压规格的修正、或者如果我们使用当前生产的 BQ25505芯片、这是否是一个必须考虑的芯片设计更改(即、更高的冷启动 V)?
    2. 引脚最小值是否为15uW (按新 DS)? 例如、15uW 需要45uA @ 330mV 的输入电流。
      1. 如果我们设法使用大于0.6V 的输入进行设计、但电流小于300nA、那么我们是否仍然可以使用数据表中的公式满足引脚要求?
      2. 如果15uW 是引脚的硬性最小值、那么这实际上是8uA (或25uA 新值)@ 0.6V 的 Iin 最小值。

感谢您帮助了解 BQ 芯片的工作原理以及我们是否可以将其用于我们的设计。  

 

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Larry、

    关于1、IQ 测量的平均时间约为2-3秒。  所有测量均针对升压转换器而不是开关。

    关于2、测量的 IQ 包括每64ms 进行4ms 的 VRDIV 采样、在此期间 IQ 略高。  否则、IQ 是恒定的。

    对于3、是的、如果内部 PFET 被关闭、VSTOR 从 VSTOR = VBAT 处的任何源为芯片供电。

    关于4、当 VSTOR < VSTL_CHGEN 时、主升压电路关闭、因此 VSTOR 不会拉 Iq。  充电器尝试使用效率极低的升压转换器冷启动电路、通过内部 PFET 体二极管将 VSTOR 和 VBAT 升高到 VSTR_CHGEN。  我们没有描述它的 IQ。

    关于5,当 VSTOR>VSTOR_CHGEN>VBAT_UV 时,VSTOR 和 VBAT 之间的 PFET 会自动打开,并允许 VBAT_SEC 处的存储元件为 VSTOR 处的任何负载供电,包括 IC 本身。

    关于 IQ 范围、 请参阅图8和9以了解平均 IQ 范围。  请记住、这些是因为升压转换器不工作(即无输入电源)。  由于输入电源而进行开关时、IQ 会更高、以便驱动升压转换器 FET。

    关于数据表更改和 VIN、引脚要求、没有规格更改。  我们在生产测试中发现错误、发现我们无法始终生产冷启动低至330mV 且 PIN 低的器件。  在冷启动时、某些器件的工作电压低至600mV、尤其是长时间处于无电源状态后、但我们无法保证所有器件都能正常工作。  PIN_CS 编号是典型值、未经生产测试。  我看到该器件在冷启动模式下的工作功耗远低于15uW。  为了在合理的时间范围内将 VSTOR =VBAT_SEC 提升为 VSTR_CHGEN、该值更是实际值。  

    为了退出冷启动(即将 VSTOR 充电至 VSTR_CHGEN)、我始终建议使用具有栅极驱动器的外部 PFET 隔离在 VSTOR 上连接的任何电阻负载、方法是/vb_SEC_ON。  此外、您必须考虑储能元件的泄漏电流、尤其是当它是超级电容器时。   

    此致、

    Jeff