您好 TI 团队
在 Vin=50且满载的情况下、PMP21278 300W 降压/升压评估板的功率损耗等于25W
当 Vin=12时的功率损耗、满负载等于10W。
另一方面、Vin=12时的热性能快照、满负载可告知 MOSFET 和电感器10W 功率损耗
具有高学位。
您能告诉我这个评估板如何管理 Vin=50、满载(25W 损耗)时的功率损耗热性能吗？
PMP21278 300W 降压/升压是否需要强制气流？
因为我要为设计电路板
VIN=9~55V
VOUT=13.6
Iout=10A
我想到的是采用强制气流进行热管理的 LM5176。
谢谢。
您好、Youhao Xi
这是我的电源部分原理图
由于 Vin=55V、选择的降压 MOSFET (CSD19502Q5B)的 VDs=80V (通过这种成本以及低 Rdson 和低封装、我找不到更好的 MOSFET)
但该器件型号的 Qrr 很大(反向恢复电荷)=275nc
而长 TRR (恢复时间)= 72ns。
TRR 比 Lm5176=50ns 的死区时间慢。
肖特基二极管5A 用于处理死区电流并降低 TRR、已与降压桥臂的低侧 MOSFET 并联。 该肖特基二极管具有25ns 的整流器恢复时间、数据表中未指定 Qrr 值。
另一方面，Qr=275nc 使得 Plos=Qr*VIN*f=275*54*300kHz=4.5W 损耗， 而导通和开关损耗等其他损耗则为7W 损耗。
为了减小 Qrr、我尝试减小体二极管 MOSFET 的电流、因此减小并联3 MOSFET (其中一个是保留的、因为 Lm5176的3A 栅极驱动器限制)。
但我不知道电流对 Qrr 的影响、因此我找不到任何关于这一点的注意事项。此外、肖特基二极管5A 已与 MOSFET 并联
关于您的建议、MOSFET 的散热：
我从未见 过此封装 MOSFET 的散热。 SON 封装的特殊结构(将裸片直接连接 到外露焊盘 或 Dual Cool SON 封装)
如图2所示、为 PCB 提供散热路径从端子焊盘。 结果、我认为此封装的散热效果不好。
图1.
图2.
