[参考译文] LMG1210：半桥功能

admin

Other Parts Discussed in Thread: LMG1210

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/896952/lmg1210-half-bridge-capability

器件型号：LMG1210

我想确认该器件(系列)与真正的半桥配合使用(LMG1210 数据表中的简单图未显示负电容器)？换句话说、VSS 需要接地还是可以是负电压(例如-200V)？我认为唯一重要的是 V_HS 和 VSS 之间的差异、但我想仔细检查。非常感谢您的理解。

Matthew Bartone

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Matthew、

感谢您在 e2e 上进行深入探讨。正确、除了 HS 电压(没有自举二极管)外、lmg1210的负电压能力还受 HB-HS 电压以及自举二极管正向电压的限制、但是、如果未使用自举、则 HB-HS 电压应保持在大约5V、以用于高侧驱动器。例如、使用总线电压(而 VSS=-200V)、则无法使用自举二极管(由于自举二极管正向电压额定值超出规格)。如果 HS 为-200V、则 HB 应为-195V。如果需要在没有自举的情况下为高侧 FET 供电、则在 BST 引脚悬空时需要为 HB-HS 提供隔离式电源(例如 LDO 以相对于 HS 为 HB 补充)。如果您有任何疑问、请告诉我。

谢谢、

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好 Jeffrey、

因此、请提出一些后续问题。这是我们的半桥及其如何连接到 LMG1210的快速电路图

对于 LMG1210、最大值 V_HI 和 V_low 可以是多少 (对于我们的应用、我们希望 V_HI =(-) V_low)、因此 VDD 和 HB 需要是什么？

我们是否仍需要隔离式电源(用于 HB 和 VDD)？

再次感谢您帮助解决所有这些问题！非常感谢。

Matthew Bartone

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2524460 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Matthew、

感谢后续行动。

由于1210是200V 部件、HS-VSS 可在高达200V 的电压下运行、这意味着 VHI - VLOW = 200V。例如、如果 VHI = 100V、则 VLOW 可高达-100V。在这种情况下、VSS 为-100V、因此 VDD 需要 n-95V。在这种情况下、输入信号也需要进行电平转换、相对于 VSS 或-100V。 HB 将在 HS 上运行、HB-HS 需要为5V。自举二极管在阳极上的 VDD 电压为-95V、在高侧导通期间、自举阴极从 VHI+(HB-HS)电压为+105V。由于反向偏置电压较大、这会使二极管烧断、因此在这种情况下无法使用自举二极管、并且需要为 HB-HS 提供隔离式电源、不需要隔离-95V VDD 电源、但它需要相对于 VSS。请告诉我、这是否有助于回答您的问题、或者您还有其他问题。

谢谢、

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] LMG1210：半桥功能