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使用半桥配置设计5kW 电源...了解开关/驱动器解决方案并考虑 LMG341X 系列器件。
该系列中是否有可驱动/切换到20MHz 范围的推荐 PN、以及高电压(200-500V)硬开关?
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使用半桥配置设计5kW 电源...了解开关/驱动器解决方案并考虑 LMG341X 系列器件。
该系列中是否有可驱动/切换到20MHz 范围的推荐 PN、以及高电压(200-500V)硬开关?
因此、我的公司正在设计一个射频半桥电源、该电源将以13.56MHz 的频率驱动串联谐振(LCR)负载(能够驱动20-30MHz、因此我们知道以13.56MHz 的频率驱动并不会过多地推动系统)。 系统的平均功率将在5kW 范围内、峰值功率将高几倍。 该电源必须能够硬开关10安培、理想情况下为几百伏特、因此半桥每侧都需要几个并联开关。
那么、您的回复/评论是针对 LMG341X 系列器件(具有集成驱动器的 GaN FET)、还是您说您没有能够在更高频率下进行切换的 PN?
正在研究另一个 PN 系列(LMG1210)、该系列的频率最高可达50MHz。 这是不可能的?e2e.ti.com/.../TI-LMG1210.pdf
您好、您好、Yichi、
如果总线电压被限制在+/-200V、那么该部件是否能够管理这些更高的频率? 如果是、是否存在设计注意事项
您会推荐吗?
显然、在这种情况下、由于这些频率下所需的功率耗散、热调节至关重要。 TI 是否具有顶部冷却型
版本?
此外、如果我们对独立的栅极驱动器感兴趣、您是否有能够在这些更高的频率和电压下(例如+/-200V)驱动的建议?
感谢您对此的帮助、非常感谢!!
Matthew
Matthew、您好!
LMG1210是栅极驱动器、不包含 GaN FET。 对于 LMG1210的使用、您可以提供自己的 GaN FET。 我们的电流生成 GaN 功率级(具有 GaN FET 的集成驱动器)的最大频率均约为1MHz。 对于我们的下一代 GaN 功率级、我们将提供顶部冷却选项。
一些设计注意事项是、您将使用并行服务器器件来实现功率级别、在这种情况下、您将考虑添加小型去耦电感器以防止并联器件之间的电流和热性能不平衡。
希望这对您有所帮助。
此致、