主题中讨论的其他器件: TIDA-00757、 CSD25202W15、 CSD23202W10
大家好、
我在其中一个设计中使用 CSD22204W 进行反极性保护。 输入为纽扣电池(3V)
可以确认我是否可以继续执行此操作或任何需要的修改。
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大家好、
我在其中一个设计中使用 CSD22204W 进行反极性保护。 输入为纽扣电池(3V)
可以确认我是否可以继续执行此操作或任何需要的修改。
您好 Raghu、
是的、电池连接到漏极、负载连接到 FET 的源极。 最初、电流流经 FET 的体二极管、为源极节点充电。 FET 的栅极被拉至 GND (VGS = 0V - Vsource)、当 Vsource > Vth 时、通道将开始导通。 TI 拥有许多 P 沟道 FET、其 RDS (ON)的额定电压低至 VGS = 1.8V 或更低。 请看一下 CSD23202W10。 这是一款具有单端 G-S ESD 二极管的较小器件、其泄漏电流比 CSD22204W 的背对背 ESD 二极管更低。 对于电池供电的应用而言、这可能是一个重要的考虑因素。 在相同尺寸的封装中、您可以查看 CSD25202W15。 它还具有从栅极到源极的单端 ESD 二极管。