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[参考译文] CSD22204W：CSD22204W、用于为纽扣电池额定系统提供反极性保护

admin
Guru**** 670150 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD22204W, TIDA-00757, CSD25202W15, CSD23202W10
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/896083/csd22204w-csd22204w-using-for-reverse-polarity-protection-for-coin-cell-battery-oprated-system

器件型号：CSD22204W
主题中讨论的其他器件： TIDA-00757、 CSD25202W15、 CSD23202W10

大家好、

我在其中一个设计中使用 CSD22204W 进行反极性保护。 输入为纽扣电池(3V)

可以确认我是否可以继续执行此操作或任何需要的修改。

-Raghu

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好 Raghu、

    感谢您关注 TI FET。 您的实现看起来正常。 您可以在 TIDA-00757参考设计中看到类似的示例。 请记住、如果您的电池电压降至2.5V 以下、我们无法保证 RDS (ON)、因为 VGS = 2.5V 是数据表中指定 RDS (ON)的最低电压。

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    TI__Guru**** 670150 points
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    感谢您的确认。

    当 VGS 0V MOSFET 打开时、电池连接到 PFET 的漏极、负载连接到 PFET 的源极？  

    我担心 MOSFET 将会导通？

    如果不是、您可以 建议使用合适的器件来运行2-3V 电池电压。

    此致、

    Raghu

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    TI__Guru**** 670150 points
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    您好 Raghu、

    是的、电池连接到漏极、负载连接到 FET 的源极。 最初、电流流经 FET 的体二极管、为源极节点充电。 FET 的栅极被拉至 GND (VGS = 0V - Vsource)、当 Vsource > Vth 时、通道将开始导通。 TI 拥有许多 P 沟道 FET、其 RDS (ON)的额定电压低至 VGS = 1.8V 或更低。 请看一下 CSD23202W10。 这是一款具有单端 G-S ESD 二极管的较小器件、其泄漏电流比 CSD22204W 的背对背 ESD 二极管更低。 对于电池供电的应用而言、这可能是一个重要的考虑因素。 在相同尺寸的封装中、您可以查看 CSD25202W15。 它还具有从栅极到源极的单端 ESD 二极管。

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    TI__Guru**** 670150 points
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    非常感谢 John Wallace 的快速响应。