大家好、
UCC21750也用于客户牵引逆变器、存在一些问题。 请就此提供帮助。 谢谢。
以下是客户提供的原理图：
测试条件：
在高侧 IGBT 上并联了一个外部电感器、如图1所示；
问题：
当客户使用触发波形来驱动 IGBT 时、它第一次在 T1和 T3中运行良好、如图2所示；
但是、当客户使用相同的波形第二次触发 IGBT 时、OUTH (引脚4)中会出现很多毛刺脉冲。 如图3所示。
图1测试条件
图2 (OUTH 为黄色、OC 为绿色(PIN2)、IGBT 中的电流为粉色和蓝色)
图3 (OUTH 为黄色、OC 为绿色、IGBT 为15V 时为绿色、IGBT 中的电流为蓝色)
有关 IGBT 的信息
e2e.ti.com/.../FGY160T65SPD_5F00_F085.PDF
BR
郭松珍
您好、Autudery、
非常感谢您的帮助。
我们尝试您推荐的方法、但它无法解决问题。 您能就此问题向我们提供一些建议吗？ 再次感谢、
测试条件更新
高侧 MOSFET 禁用(栅极接地)、触发信号用于低侧 MOSFET；
第一次和第二次的电流相同。
问题：
对于低侧 IGBT、四个 IGBT 同时并联；当我们将并联 IGBT 减少到两个时、干扰消失了。
对于并联 IGBT、今天在客户端测试了三种类型的 IGBT。 IGBT 有两种类型的干扰问题。 其余的一个是正常的。
分析
我们阅读了该文档、问题由 Miller Capacity 解决。 当我们打开低侧 MOSFET 时、集电极上的电压下降至0V、集电极上具有高 dV/dt。 它可能会导致低侧 MOSFET 上的错误触发。
当我们第二次打开低侧 MOSFET 时、它会出现几次毛刺脉冲、但该器 件未打开 Q1以加速低侧 MOSFET 的关断。
您好、Songzhen、
需要考虑的其他一些因素是布局。 由于有四个并联 IGBT、因此它们之间可能存在一些不平衡。 米勒钳位应尽可能靠近栅极、但由于存在多个栅极、因此最好在四个栅极之间尽可能保持一致。 在这种情况下、PNP 应位于最靠近 IGBT 栅极的中间位置、以便最靠近栅极驱动器的 IGBT 和最远离栅极驱动器的 IGBT 保持一致。 米勒钳位发射极应直接连接到 IGBT 栅极。
最好的做法是为每个并联 IGBT 使用单独的栅极电阻器来平衡开关、如下所示：
在开通期间、也可以通过增加 OUTH 处的栅极电阻来调节压摆率 dv/dt。
此致、
Audrey
您好、Audrey、
非常感谢您的帮助。
与客户合作后、我们缩短了 IGBT 基极和 UCC21750-Q1之间的长度。 干扰会变得更好。 但它也具有小的干扰。
：客户使用相同的电路来驱动高侧 IGBT、IGBT 也是相同的、但对于高侧器件而言、这是可以的。
您能否就布局提供一些建议？谢谢。
这是在我们缩短长度后四个 IGBT 的波形、干扰变得更好。
以下是客户提供的布局：
BR
郭松珍
