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器件型号：BQ25570EVM-206 我真诚地感谢 TI 始终如一地提供友好的答复。
同时、我通过回答和几次数据表研究再次测量了该实验。
我使用电源将400mV 电压输入 VIN_DC。 没有存储元件连接到 VSTOR、并且它已在0V 放电。 /EN 引脚连接到 GND、VSTOR 连接到 VOUT_EN 引脚。
VIN_DC 上施加了电压、没有任何元件连接到 VBAT。 首先、示波器观察到 LBOOST 引脚正常切换。 由万用表测量、VOUT 和 VBAT 在充电时缓慢上升至0.1mV。
但同时、VSTOR 值保持在2mV。 因此、我以22F/2.3V 规格将超级电容器充电1.5V 至 VBAT。 以下测量结果表明、VSTOR 保持在2mV、VOUT 缓慢增加至77mV、然后在连接后开始下降。
尽管存在这种情况、但无法从冷启动模式进入主升压激活模式。 我想知道、根据数据表和问答的描述、我连接到电路板时是否遗漏了任何器件
1) 1)在冷启动模式下、EN 引脚被描述为"无关"、这会混淆 EN 引脚是否是高电平、低电平中的"无关"、或者电路板上的 JP2 EN 引脚在连接到 GND 或 VBAT_SEC 时意味着"无关" 我想听到确切的答案。
2) 2)我怀疑连接到 VBAT 的电容值对于电路板来说太大。 超级电容器是否存在问题？
3) 3)我想知道为什么 VSTOR 的值如此小、即使向 VIN_DC 施加了适当的电压。
4) 4)我想知道由于 VSTOR 值的增加、如何将 VSTOR 值修改为大于 VSTR_CHGEN。
