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[参考译文] BQ77915：3节设计回顾

admin
Guru**** 2535750 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ77905

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/895670/bq77915-3s-design-review

器件型号：BQ77915
主题中讨论的其他器件：BQ77905

您好！

我们将设计3S PCM 8A。

请查看我们的原理图 designe2e.ti.com/.../6562.3-Cell.pdf?此设计是否存在任何问题？

我们使用了两对 NVMFD5C466NL。 数据表建议使用 RCHG 和 RDSG 将该参数调整为所需的 FET 下降/上升值以及 FET 并联数。 那么、应该如何计算呢？ 您能否举一个例子、或使用我们的 MOSFET 进行解释？

4. 具有30V 电压的 D1是否适合该设计？

提前感谢、

  • 0
    TI__Guru**** 2535750 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    我查看了原理图、大多数连接和元件看起来都正常。 我确实注意到了以下几点：

    -我不确定我是否了解所有 FET 连接。 在我看来、PACK-和 BAT-始终连接在 FET 周围。

    -对于8A 应用、感测电阻值似乎很高。 您还需要考虑 OCD 和短路检测所需的电流限制、以确保它们具有-200mV 至+800mV 的 SRP/SRN 电压范围。 数据表第10.2.2节中的设计示例对于计算感应电阻器值非常有帮助。

    -我认为您为 D1选择的二极管应该是可以的。

    此应用手册可帮助您解决有关多个 FET 和下降/上升时间的问题： http://www.ti.com/lit/an/slua773/slua773.pdf

    本应用手册是使用非常相似的器件 BQ77905编写的。  

    此致、

    Matt