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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/893606/tps54917-tps54917-low-side-mosfer-negative-spike
你(们)好，先生
我们使用 TPS54917设计用于 ASIC 的3.3V 至1.0V_9A 电源。
在测量过程中发现了一种现象。
只要电感器电流进入连续导通模式(约1A)、
低侧 MOSFET_VDS 显示明显的负 尖峰并超过规格的最大绝对值。
我们如何改善这种现象？
您好 Kao、
您在此处观察到的是 TPS54917的正常行为、以下应用手册中对该现象进行了详细说明。
http://www.ti.com/lit/an/slva494a/slva494a.pdf
如果您有任何疑问、请告诉我。
非常感谢！
此致、 Dorian
您好！
我没有听到您的反馈。 您对此主题还有其他疑问吗？
由于不活动、我正在关闭此主题。
如果您有任何其他问题、请在下面回复。
此致、
Dorian
感谢您的宝贵反馈！
我与 FAE 进行了交谈、解释了这种现象。 这是正常操作、是其设计所固有的。
在数据表中、您可以找到有关死区时间控制和规格的说明、图15显示了 PH 节点上的行为。
它可以更明确地说明该部件在极低负载下的行为、尤其是在 SW 节点上。
TPS54917不是我们的最新器件、未经过优化、可在极低负载下工作。 如果您需要、我可以推荐更新的器件、这些器件经过更优化、可在低负载和高负载下工作。
如果您在这里有任何问题、请告诉我。
再次感谢。
