[参考译文] BQ25703A：BQ25703A LODRVE1 MOS 损坏

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：BQ25703A
主题中讨论的其他器件：CSD17551Q3A、 CSD17578Q3A、

你(们)好

请帮助检查原理图。

使用三节18650电池充电时、输入电压为5V、输出电压为12.6V。

在充电过程中、M6的 MOS 将被断开。

M6 MOS 模型为 CSD17578Q3A。 EVM 使用 CSD17551Q3A。

请提供一些建议。

谢谢

星号

0 admin 5 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Star、

感谢您仔细遵循 BQ25703A EVM 原理图、但我发现有两个地方与参考设计不同。

1) 1) ILIM_HIZ 连接到 CMPOUT。电流配置允许在电池达到12.6V 但禁用3A 电流限制时进行高阻态运行。 (建议将 CMPOUT 连接到 ILIM_HIZ 10k Ω、并在 CMPIN 和 CMPOUT 之间添加2Mohm 电阻以实现迟滞。)

2) 2) PGND 和 GND 由铁氧体磁珠连接。建议使用零欧姆组件、例如网接铜线迹。

如果没有任何输入电流限制、M6是否可能损坏？ CSD17578与 CSD17551非常相似。我认为这不是问题。

此致、

老虎

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