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器件型号：CSD19536KTT 主题中讨论的其他器件：CSD17307Q5A、 CSD17304Q3
大家好、
您是否会为我的应用建议一些 MOSFET 器件型号？
电压：24V
电流：10安培
触发器将为3.3V PWM。
谢谢！
大家好、
您是否会为我的应用建议一些 MOSFET 器件型号？
电压：24V
电流：10安培
触发器将为3.3V PWM。
谢谢！
您好、Ali、
感谢您关注 TI FET。 对于此应用、我建议至少使用30V FET。 如果存在瞬态或任何过压机会、则40V 或60V 器件会更好。 TI 有多个30V FET、其导通电阻额定为3V VGS。 以下是一些选项：
如果您需要使用40V 或60V FET 以获得更大的电压裕度、则必须以4.5V 的最小电压驱动栅极。 我们的40V 或60V FET 均未指定3V VGS 下的导通电阻。 TI 不建议在栅极驱动电压低于数据表中指定 RDS (on)的最小值的情况下运行 FET。
我将在下面添加有用的链接、以找到用于负载开关的 FET 选择以及可从 TI.com 下载的基于 Excel 的负载开关 FET 选择工具。
