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[参考译文] CSD19536KTT:针对电磁阀驱动器应用的 MOSFET 建议

Guru**** 2378650 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17307Q5A, CSD17304Q3
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/943502/csd19536ktt-mosfet-suggestion-for-solenoid-driver-application

器件型号:CSD19536KTT
主题中讨论的其他器件:CSD17307Q5ACSD17304Q3

大家好、

您是否会为我的应用建议一些 MOSFET 器件型号?

电压:24V

电流:10安培

触发器将为3.3V PWM。

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Ali、

    感谢您关注 TI FET。 对于此应用、我建议至少使用30V FET。 如果存在瞬态或任何过压机会、则40V 或60V 器件会更好。 TI 有多个30V FET、其导通电阻额定为3V VGS。 以下是一些选项:

    • 采用5x6mm SON 封装的 CSD17307Q5A。 10A 时的导通损耗估计为1.9W。
    • 采用3x3mm SON 封装的 CSD17304Q3。 10A 时的导通损耗估计为1.4W。
    • 采用3x3mm SON 封装的 CSD17308Q。 10A 时的导通损耗估计为1.8W。

    如果您需要使用40V 或60V FET 以获得更大的电压裕度、则必须以4.5V 的最小电压驱动栅极。 我们的40V 或60V FET 均未指定3V VGS 下的导通电阻。 TI 不建议在栅极驱动电压低于数据表中指定 RDS (on)的最小值的情况下运行 FET。

    我将在下面添加有用的链接、以找到用于负载开关的 FET 选择以及可从 TI.com 下载的基于 Excel 的负载开关 FET 选择工具。