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器件型号:TPS745-Q1 主题中讨论的其他器件: TPS745
团队、
我在 LDO 中看到了避免启动(https://www.ti.com/lit/pdf/sbva060 )- TPS745-Q1是否比其他 LDO 更容易发生过冲?
在此设计中(采用3.3V 输出电压、DRB 封装)、过冲不应超过3.6V。
您能否进行原理图/ PCB 布局审查以评估是否需要进行一些改进?
提前感谢、
A.