[参考译文] TLV743P：检测频率

您好 Howard、

"检测频率"不是讨论线性稳压器时使用的参数。  我不确定他们指的是什么。  LDO 的 IQ 与内部拓扑和运行内部电路所需的电流有关、尤其是打开/关闭内部导通器件所需的电流。  以下应用手册可能很有用、因为它讨论了 IQ 如何根据内部导通元件是 MOSFET 还是 BJT 而变化。

https://www.ti.com/lit/an/snva020b/snva020b.pdf

谢谢、

斯蒂芬

您好 Howard、

这些术语听起来像是数字电子术语、而不是模拟术语。
线性稳压器具有电压基准、运算放大器等模拟构建块。  如果数据表中有一个类似于"高速"的短语、则表示反馈环路的高带宽。  如果使用 CFF、则高带宽是内部误差放大器、导通元件、输出电容器和反馈电阻器的函数。

我链接的应用手册的第7节提供了线性稳压器内部稳定性分析的良好概述。
客户可以控制输出电容、可调节稳压器、高侧设定点电阻器上的前馈电容等项目。

谢谢、

斯蒂芬

Howard、

由于反馈环路的带宽较高、负载变化的瞬态响应将更快。
不能肯定会有更大的 IQ。  您将需要参阅数据表、我还将倾向于使用更新的线性稳压器、因为在更新的线性稳压器中、架构更复杂、无法改善这些类型的指标。

谢谢、

斯蒂芬

您好 Howard、

大多数现代 LDO 将使用 CMOS 作为导通元件、而不是 BJT。  我想我们设计的最后一款 BJT 线性稳压器大约是在10年前设计的。  如果您使用具有低 IQ 的现代 LDO、它可能具有 PMOS 导通元件。  为了实现更低的 Iq、您可以利用具有使能引脚的 LDO、并在不需要 LDO 输出为电子产品供电时禁用器件。  待机模式下(禁用器件时)的 Iq 非常小。

谢谢、

斯蒂芬

您好 Howard、

虽然 IQ 与带宽(响应时间)之间没有直接相关性、但通常情况下、较低的 IQ 器件具有较低的带宽、并且对瞬态的响应速度较慢。 这是因为您需要电流对内部节点/寄生电容进行充电/放电、可用电流越小、充电/放电所需的时间就越长。 正如 Stephen 提到 的、即使在 IQ 较低的情况下、也有一些现代电路技术/拓扑有助于改善瞬态响应。  

至于您讨论的两个器件、如果您比较数据表中典型图表中的负载瞬态响应时间和 PSRR 滚降、您可以看到这两个器件之间存在差异。