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[参考译文] TLV743P:检测频率

Guru**** 669750 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV743P, TPS7A05
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/939525/tlv743p-detection-frequency

器件型号:TLV743P
主题中讨论的其他器件: TPS7A05

您好!

我的客户正在评估 TLV743P、他们提出了一个奇怪的问题。

TLV743P 的检测频率是多少?

他们说、为了保持输出稳定、LDO 必须在一个频率上监控输出电压。 较低的检测频率可能会导致低 Iq LDO。

但我认为没有称为检测频率的参数、因为反馈环路是模拟环路、而不是数字环路。

但我不知道为什么某些 LDO 可以实现低 Iq。

我认为它与检测频率无关、对吧?

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    您好 Howard、

    "检测频率"不是讨论线性稳压器时使用的参数。  我不确定他们指的是什么。  LDO 的 IQ 与内部拓扑和运行内部电路所需的电流有关、尤其是打开/关闭内部导通器件所需的电流。  以下应用手册可能很有用、因为它讨论了 IQ 如何根据内部导通元件是 MOSFET 还是 BJT 而变化。

    https://www.ti.com/lit/an/snva020b/snva020b.pdf

    谢谢、

    斯蒂芬

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    斯蒂芬

    那么、我们是否有术语"高速 LDO"?

    我们如何实现高速 LDO?

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    您好 Howard、

    这些术语听起来像是数字电子术语、而不是模拟术语。
    线性稳压器具有电压基准、运算放大器等模拟构建块。  如果数据表中有一个类似于"高速"的短语、则表示反馈环路的高带宽。  如果使用 CFF、则高带宽是内部误差放大器、导通元件、输出电容器和反馈电阻器的函数。

    我链接的应用手册的第7节提供了线性稳压器内部稳定性分析的良好概述。
    客户可以控制输出电容、可调节稳压器、高侧设定点电阻器上的前馈电容等项目。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    斯蒂芬

    那么、反馈环路的带宽越高、负载变化的瞬态响应是否会更快? 负面影响是、它将具有更大的 IQ?

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    Howard、

    由于反馈环路的带宽较高、负载变化的瞬态响应将更快。
    不能肯定会有更大的 IQ。  您将需要参阅数据表、我还将倾向于使用更新的线性稳压器、因为在更新的线性稳压器中、架构更复杂、无法改善这些类型的指标。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    斯蒂芬

    阅读完您提供的文章后、我们似乎可以使用 P-FET LDO 获得低 IQ、对吧?

    对 PNP 晶体管使用 P-FET 是否有任何牺牲?

    还有其他方法可以降低 LDO 的 IQ 吗?

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    您好 Howard、

    大多数现代 LDO 将使用 CMOS 作为导通元件、而不是 BJT。  我想我们设计的最后一款 BJT 线性稳压器大约是在10年前设计的。  如果您使用具有低 IQ 的现代 LDO、它可能具有 PMOS 导通元件。  为了实现更低的 Iq、您可以利用具有使能引脚的 LDO、并在不需要 LDO 输出为电子产品供电时禁用器件。  待机模式下(禁用器件时)的 Iq 非常小。

    谢谢、

    斯蒂芬

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    斯蒂芬

    谢谢。

    具体而言、TLV743P 和 TPS7A05都是新器件(2017年以后发布)、两者都具有使能引脚。

    但 TLV743P Iq=34uA、TPS7A05 Iq=1uA。

    是什么导致了 IQ 差异? TPS7A05在实现如此低的 IQ 方面是否存在任何折衷?

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    您好 Howard、

    虽然 IQ 与带宽(响应时间)之间没有直接相关性、但通常情况下、较低的 IQ 器件具有较低的带宽、并且对瞬态的响应速度较慢。 这是因为您需要电流对内部节点/寄生电容进行充电/放电、可用电流越小、充电/放电所需的时间就越长。 正如 Stephen 提到 的、即使在 IQ 较低的情况下、也有一些现代电路技术/拓扑有助于改善瞬态响应。  

    至于您讨论的两个器件、如果您比较数据表中典型图表中的负载瞬态响应时间和 PSRR 滚降、您可以看到这两个器件之间存在差异。