[参考译文] BQ2000T：开关频率公式不符合器件的实际性能

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/940895/bq2000t-switching-frequency-formula-doesn-t-appear-to-match-actual-device-performance

器件型号：BQ2000T
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您好！

在文档"使用 bq2000/T 控制快速充电"中、第4页上有一个公式用于计算最大开关频率：RF * CF = 1 /(4 * F)。当我查看 bq2000EVM 上的 RF 和 CF 值时、我看到604欧姆和1000pF。这将转换为最大值 414 kHz。这远远超出了建议的100kHz 至200kHz 范围。在工作台上、我看到的是最大值以50%占空比预测的情况下、从 EVM 发出130kHz 的频率。公式是否不正确、或者是否存在其他问题？

谢谢、
Scott

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1825110 points

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您好、Scott、

您是否有开关频率的波形？ RF 和 CF 值对开关频率的影响最大、但也会受到输入电压、RSNS 值、电感器值、迟滞电容器值(CHYS)的影响。

图9. 和10. 也显示了经验数据。数据表： www.ti.com/.../slus149d.pdf

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1825110 points

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您好 Kedar、

因此、我觉得公式不太准确、图形(图9和10)更好。我附加了 FET 和电感器结处的开关波形图像。

侧向问题：三幅图像中的一幅显示了电池导线非常长时的开关波形、例如、当我们使用仪表测量电池电流时。是什么导致脉冲对之间的停顿？

谢谢、
Scott

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1825110 points

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您好、Scott、

暂停是指续流体二极管导通时。由于这是一个开关转换器、因此 HSFET (PFET)将在部分占空比下导通、在此期间 SW 节点将处于高电平、而在占空比的另一部分、二极管将 GND 作为源导通。由于该器件的开关频率较低、并且没有远程 BATSNS、当 HSFET (PFET)导通时引起的额外压降将导致实际电池之间以及 IC 上检测 BAT 的位置之间出现明显的压降。这会导致波动、从而影响感测到的电压、并影响占空比。

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 1825110 points

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那么、长电缆导致的额外压降会延长时间间隔？为什么间隙之间有一对脉冲而不是单个脉冲？

0 admin 4 年多前

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您好、Scott、

由于开关频率较低：

当 PFET 导通时、电缆上会出现压降。当 PFET 需要关闭时、随着电感器电流斜降、将出现压降(电感器电流波形为锯齿状)。随着转换器输出端的电压波动、转换器很难调节和保持稳定的占空比。我不建议使用长电缆进行此测试设置。

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