[参考译文] BQ35100EVM-795：BQ35100使用问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/939928/bq35100evm-795-bq35100-usage-question

器件型号：BQ35100EVM-795
主题中讨论的其他器件：BQ35100、 BQSTUDIO

您好！

我的应用程序使用原电池 (LISOCI2)，刚刚开始探索 BQ35100的功能，您能否澄清以下问题？

我们正在考虑在 EOS 模式下使用此 IC、在使用之前是否需要使用 BQ Studio 对 IC BQ35100进行编程？是否有任何其他方法对 BQ35100 IC 进行编程？
我正在尝试使用下面的 I2C 事务序列读取控制状态、似乎它不起作用、它返回0x8020表示控制状态、并返回相同的值来读取 Chem ID。

请告诉我缺少的内容。

a.写入控制寄存器子命令(CONTRAL_STATUS) START、0xAA、0x00、0x00、xx00、STOP、等待2ms

b.读取-开始、0xAA、00、开始、AB、，停止。

c.写入控制寄存器子命令(Chem ID) start、0xAA、0x00、0x06、xx00、stop、wait 2ms

d.读取-开始、0xAA、00、开始、AB、，停止。

3.如果您有此 IC 的驱动程序源代码，请告诉我。

谢谢、

Naga。

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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您好、Naga、

在 BQ35100 TRM 中有一个写入数据闪存的示例(请参阅第12章)。如果您不熟悉如何写入数据闪存、则最容易从 BQStudio 开始。对于数据闪存写入、还需要包括校验和和长度(到0x60和0x61)。

以下是我今天早些时候解释如何写入数据闪存的线程(不同器件的示例)：https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/939805

TI 没有可用于此器件的驱动程序。如果您在 Google 上搜索"BQ35100驱动程序"、您将看到一些驱动程序已由其他用户编写。

此致、

Matt

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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您好、Matt、

谢谢您的回答、您没有回答我的第一个问题。

1.我们是否必须使用化学 ID 或任何其他使用 BQ Studio 的数据对每个 BQ35100 IC 进行编程？还是可以避免它。

2. 我们可以通过跳过上述步骤直接在 EOS 模式下(运行 CONFIG-A -GMSEL=2)使用 IC 吗？

3. 当阻抗达到报警级别时，EOS 警报位似乎会被置位，但如何判断电池容量是否约为50%？

您已经为我提供了有关读取数据闪存的 I2C 事务示例、但我将讨论命令状态(子命令=0x000)、

读取命令状态还需要使用与 DF (数据闪存)处理相同的方法？请澄清。

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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有更新吗？

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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您好、Naga、

您需要根据用户指南对每个 IC 进行编程。

2.否

3.很难，EOS 用于服务终止。

4.否，将 i2c 命令发送到控制。 TRM 中有一节介绍直接存储器存取、我将向您介绍有关访问数据存储器的技术参考手册。

谢谢！

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