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[参考译文] CSD19505KCS：并联 MOSFET

admin
Guru**** 2381440 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19505KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/941900/csd19505kcs-paralleling-mosfets

器件型号：CSD19505KCS

您好！

我的客户已使用 CSD19505KCS 很长时间、现在他们发现一些器件在测试过程中出现故障。 他们怀疑以并联方式使用不同的 LTC CSD19505可能导致击穿、因为参数不匹配可能会导致某些 MOSFET 先于其他 MOSFET 导通、这超过了器件的最大额定值。

我想知道：

1.我们是否不应并行使用不同的 LTC CSD19505KCS？

2.并联 MOSFET 时需要考虑哪些因素？

如果我们并联5个 MOSFET、并且所需的峰值电流为100A、那么我们需要什么额定电流 MOSFET？

  • 0
    TI__Guru**** 2381440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Howard、

    感谢您向客户推广 TI FET。 应用是什么？ FET 是否用于电源或电机驱动等开关模式电源应用？ 或者、它是热插拔、OR'ing 还是电池 FET 等静态开关应用？ 一般而言、MOSFET 并联良好、并采取了一些预防措施。 您可以更正、参数不匹配、阈值电压会导致一个 FET 先导通、最后关断、并在开关期间承受更大的应力。 阈值电压也会有很多变化。 要回答您的问题：

    1. 不可以、您仍然应该能够从不同的批次并联 FET。
    2. 每个 FET 都需要有自己的栅极电阻器(几欧姆至10欧姆)。 应使 FET 的放置和布局尽可能对称、所有 FET 的栅极布线长度相同。 尝试通过使用通用散热器使 FET 尽可能靠近散热器。
    3. 数据表中的电流额定值可能会令人困惑。 请查看以下链接中的博客。 与 FET 的额定电流相比、并联 FET 的数量更多地取决于功率耗散。 静态电流是100A 吗？

    我将关闭此主题并通过电子邮件与您联系。

    e2e.ti.com/.../understanding-mosfet-data-sheets-part-3