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[参考译文] TPSM82822:请对我的 TPSM82822的电路设计发表评论。

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TPSM82822
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/940281/tpsm82822-please-comment-on-the-circuit-design-of-my-tpsm82822

器件型号:TPSM82822

大家好、团队、

我在 TPSM82822上设计了两个输出为1.2V 和1.8V 的电路。
请查看随附文档中的原理图、BOM、WEBENCH 报告并发表评论。
这些电源用于 FPGA 和外围电路。 说明中所述的方法。
谢谢、此致、
知真美

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    您好、YUichi、

    您的1.2V 电压轨设计看起来不错。  
    但是、1.8V 电压轨的电压有几个问题:
    反馈引脚上的电阻分压器不会将 Vout 设置为1.8V、而是将其设置为1.2V。 请使用 数据表第12页的公式4 来选择合适的电阻。
    2.您的设计的总 Cout 超过80uF、   如数据表第12页的第10.2.1.2.3节 所示、Cout 大于47uF 意味着环路稳定性将开始受到影响、您必须测试实际设计的相位裕度

    此致、
    Davor

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    你(们)好

    >但是,1.8V 电压轨的电压有几个问题:
    >1. 反馈引脚上的电阻分压器不会将 Vout 设置为1.8V、而是将其设置为1.2V。

    对于 Rfbb、200k Ω 是正确的。 我将随附更正后的版本。

    >2. 您的设计的总 Cout 超过80uF、   如数据表第12页的第10.2.1.2.3节 所示、Cout 大于47uF 意味着环路稳定性将开始受到影响、您必须测试实际设计的相位裕度

    FPGA 去耦要求要求每通道1个47uF 和10uF。 我认为最好重新选择另一个 IC。
    在使用 TPSM82822时、您是否认为将线圈或铁氧体磁珠放置在47uF 之前是有效的?

    此致、

    越一

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    您好、YUichi、

     TPSM82822 在高电容条件下具有较低的相位裕度、您必须进行波特图测量、以确保其适合您的设计。  

    将铁氧体磁珠作为附加的滤波器组件放置在输出端也会影响环路稳定性、您必须再次进行波特图测量以确保相位裕度足够。 (另请注意、如果您放置铁氧体磁珠来对抗 EMI、由于开关电流、降压转换器的噪声更大的一侧是输入)。
    铁氧体磁珠的另一个重要方面是它还有一个直流电阻、如果磁珠放置在 FB 环路之后、这可能会导致 Vout 不精确。 为了获得最佳的 Vout 精度、应将磁珠放置在 FB 环路内。

    此致、
    Davor

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    你(们)好

    我与 TI 日本顾问进行了讨论。
    我决定使用 TPSM82813SILR 设计1.8V 电压。

    感谢您的合作。

    您对1.2V 设计还有其他意见吗?

    此致、

    越一

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    您好、YUichi、

    无需再对1.2V 设计进行评论。

    此致、
    Davor

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    你(们)好

    感谢您的回复。
    I 设计1.2V 原理图。
    我将参考您的1.8V 指示、并继续进行设计、同时注意铁氧体的压降。

    此致、

    越一