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[参考译文] BQ78350-R1A:OCDL 工作原理#39;t 工作

Guru**** 2614265 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ78350, BQ76200, BQSTUDIO, GPCCEDV

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/959470/bq78350-r1a-ocdl-how-does-t-work

器件型号:BQ78350-R1A
主题中讨论的其他器件:BQ78350BQSTUDIOBQ76200GPCCEDV

您好!

我的设置是针对100A 的高电流、我已将设置除以10以获得 BQ78350的范围。
在第一个测试中、我使用5至10安培的低电流。  

OCD 设置为600mA、在我的情况下、它将在6A 电流下工作、电流低于6A、高于6A 电流下将关闭 DSG-FET。 它看起来很好。

我的 OCDL 锁存限制为5、 计数器解码延迟为10秒、 复位为15秒。
OC 阈值为1000mA、在我的情况下、此值将达到10A。  I umume OC 为过流。

如果我施加介于6安培和10安培之间的电流 、OCD 启动、DSG FET 关闭。 我期望当我保持负载连接时、系统会打开/关闭五次、然后永久停止、但它会立即停止。 正常情况下、OCDL 的功能是什么?

在视频指令中、有一个 QEN 位用于启用学习周期我在 BQ78350中找不到该位、是否有其他方法将其设置为学习模式?  

此致
RENS

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    一些额外信息、

    启用保护 A、B 和 C 中的所有位都被置位、RSVD 位除外

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    尊敬的 Rens:

    有关 OCDL 的说明、请参阅 TRM。

    此致、

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    您好、Nick、

    我对我的设计的设置感到困惑。

    我尝试使用 BQ76200和78350构建 BMS。

    对于 LiFePO4 4S:10A 最大海图14.6 /10A、 最大放电流为100A

    到目前为止、我无法使监测正常工作。

    qas 使用芯片版本78350-R1启动并在 trhe 器件中下载固件 R2。

    然后、我从化学文件 ID 0478开始、看到所有电压电平都要高、因此我将它们的电压值从3750mV 开始

    ASL 将检测电阻设置更改为0、1毫欧、并将 tje SBSconfiguration 中的 IPSCL1和 IPSCL0 更改为1。

    您能否查看配置文件并帮助我使工作正常?

    请参阅 下面的已连接文件

    关于 OCDL、虽然我已经读取 TRM、但我也没有看到它发出的喷射、但由于我现在已经完成的设置、这是已设置的 ASL。

    此致

    RENS

    e2e.ti.com/.../BUILD_5F00_1503_5F00_30_2D00_11_2D00_2020test-settings.zip

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    您好、Nick、

    我对我的设计的设置感到困惑。

    我尝试使用 BQ76200和78350构建 BMS。

    对于 LiFePO4 4S:10A 最大海图14.6 /10A、 最大放电流为100A

    到目前为止、我无法使监测正常工作。

    qas 使用芯片版本78350-R1启动并在 trhe 器件中下载固件 R2。

    然后、我从化学文件 ID 0478开始、看到所有电压电平都要高、因此我将它们的电压值从3750mV 开始

    ASL 将检测电阻设置更改为0、1毫欧、并将 tje SBSconfiguration 中的 IPSCL1和 IPSCL0 更改为1。

    您能否查看配置文件并帮助我使工作正常?

    请参阅 下面的已连接文件

    关于 OCDL、虽然我已经读取 TRM、但我也没有看到它发出的喷射、但由于我现在已经完成的设置、这是已设置的 ASL。

    此致

    RENS

    e2e.ti.com/.../5277.BUILD_5F00_1503_5F00_30_2D00_11_2D00_2020test-settings.zip

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    在图中、如果 BQstudio 我用4A 为电池充电、我认为仪表提供的值是正确的。 充电期间的电压电平为13558mVolt 、这是正常的。 但寄存器充电电压的读数为9600mV,这很奇怪。 余数电容为96%、不正确。  它小于该值。 一段时间后、我获得了 OC、一段时间后、它停止充电、尽管它从未达到我的 CASS 中的终点、但它应该以14、6V 的电压电平结束。

    此致

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    尊敬的 Rens:

    您是否遵循 了 GPCCEDV? 这是实现最佳性能所必需的。

    此致。

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    您好、Nick、

    不,我没有。 我 正在为其创建日志文件 、现在我有第一个20度的文件、其中涉及3安培和10安培的电流。

    我当时的想法是、当我为 LiFePO4使用已知化学(ID-0478)文件之一时、我首次启动时、已经提供了越来越多或更少的良好数据。 但 chargnig 正在工作、但实际上并没有、

    低温下的锉刀可以放在冰箱中5度、但对于高温、我必须了解如何提供大约40度的锉刀。

    此致
    RENS

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    尊敬的 Rens:

    您能否上传显示行为的.gg 和日志文件。

    谢谢、

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    您好、Nick、

    请参阅随附的 zip 文件

    其中启动了化学 ID 为0478的设置文件、以及两个日志文件和所用 LiFePO4单元格的规格。

    该软件包是使用4S9P 构建的。

     记录文件10Amps 具有来自电池单元(电池组中间位置的传感器)的温度

    3Amp 日志文件在我的办公桌上有 tempsenor、不代表单元温度。

    此致

    RENS

    e2e.ti.com/.../Emergostar_5F00_TI_5F00_BMS-files.zip

    此致

    RENS

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    尊敬的 Rens:

    我不确定您的 OCDL 问题是否已得到解答。 如果满足恢复条件、OCD 故障将恢复(TRM 第3.5节中介绍)。 每次再次触发 OCD 保护(OCD 恢复、然后触发新的 OCD)时、OCDL 计数器都会递增。 一旦达到计数器限值(OCD 已发生并多次恢复)、则将触发 OCDL 保护。

    还必须在 Enabled Protections 寄存器中启用 OCDL。 从您的.gg 文件中、看起来该位没有设置。

    我检查了其中一个日志文件、由于 CUV 保护、放电正在停止-这在您的.gg 文件中设置为2400mV。 它不是从充满电开始-您的电池应根据其数据表充电至3.65V。 GPCCEDV 工具的日志文件应该是完全充电后的完全放电。

    此致、

    Matt

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    Matt、您好!

    您答对有关 OCDL 的问题尚未得到解答。 我再次看到这种情绪,无法使它按所述的方式工作。 为此、我在使能保护 B 寄存器的 OCDL 上启用。 然后、为了进行测试、我将保护寄存器 OCD 阈值更改为-50mA (在我的情况下为5安培)、延迟6秒、恢复阈值 st 更改为20mA (在我的情况下为2安培)、恢复延迟更改为5秒。 对于 OCDL、锁存限制为5、计数器解码延迟为10秒、复位为15秒。
    当我在持续3秒的7安培过流情况下开始测试时 、我看到在5个周期后、OCDL 未激活、DSG FET 保持开启状态。 然后、我将相同的7A 应用到系统持续7秒、并禁用 DSG FET (如第3.5章节 TRIp 中所述)、但 DSG FET 会保持禁用状态、直到我提供复位或应用充电电流。 我希望或预期系统会在电流过大时进行5次计数、并保持在永久 bock (DSG FET 禁用)中。
    我在 manualat 第3.5章中看到 、只有 当电流满足恢复阈值时、才能进行恢复。 我已将 OCD 恢复阈值从+20mA 更改为-20mA、但如果我施加7安培的持续负载、则系统将切换 DSG 取值、电流将降至0、因为恢复处于活动状态、因此系统将再次打开、但仍处于循环状态 始终打开/关闭。
    不、我仍然不清楚 OCDL。

    在 g.file 中、我已经看到我的设计电压为3600mV、应为3200mV、我已经更新了该电压、并希望它在监测上具有调用、但它没有。

    关于监测的第二个问题、它确实在 CUV 2400mV 上切换。  
    我已使用 LiFePO4充电器为电池充电、完全充满了3750V 电压。 然后、它会停止、我让它休息15分钟到几小时、电压会根据休息时间的持续时间在3650mV 到3383mV 之间下降。电量计显示完全满、剩余电量显示为102mAh (在我的情况下为10Amps)。 Learnig 完全充电容量现在显示为满9个完整周期104mAh。 然后、当我向施加负载时(在中、将 OCD 设置回1000mA、在我的情况下为100A)。Ramaing 容量仍然会以字母顺序下降30秒至几乎0、1分钟后为零、 但 电池仍然能够提供几乎10Ah 的能量。

    关于您关于如何折叠 GPCCEDV 的指令,我没有在那里,因为我开始使用连接我的电路的 BQstudio 创建数据,并测量了六个周期。 然后,我使用 Zeven 文件创建 GPCPackaged.zip 文件,并将其上载到“GPC 工具-上传”。 但我收到的是多个乘以状态:

    "错误:计算未成功、但未确定具体原因。
     请检查所有文件是否都是根据文档准备的。
     已通知支助人员"

    我已经检查过这些文件,但我认为这些文件是正确的,您也可以查看这些文件吗?

    在 TI 的 YouTube 视频说明中(watch?v=WAcxrGDb68g)有一个已讨论的引脚 QEN 位来启用学习周期我在 BQ78350中找不到该位、是否有其他方法将其设置为学习模式?

    我的监测是否由于我使用的电流调节而不起作用? 在 SBS 配置中、由于高电流 I use 和0.1 m Ω 的小检测电阻器、IPSCL0设置为1。

    到目前为止、这是一种很难使器件正常启动和运行的方法。 我希望您能帮助我使其正常运行。
    我们首先要看到的是监测。
    我们希望尽快找到这种首先进行的设计。

    e2e.ti.com/.../3835.GPCPackaged.zip

    最后一个 g.file 也包含在内。

    e2e.ti.com/.../dump_5F00_1033_5F00_8_2D00_12_2D00_2020.gg.csv

    此致

    RENS

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    尊敬的 Rens:

    我不确定您是否正确解释了 OCDL。 它不仅仅是 OCD 的更长版本-它是一种防止卡在触发和恢复 OCD 的无限循环中的方法。 它可用于在更长的时间内使 DSG FET 保持禁用状态。 例如、如果电池存在弱短路、OCDL 保护可以防止连续循环进入和退出 OCD。

    我快速查看了提交给 GPCCEDV 工具的文件。 我认为一个问题是电压是针对一节电池、但配置文件指定了4节电池。 我认为您需要使用日志文件中的总电池组电压、或者将配置文件更改为1节电池。 此外、我注意到其中一个文件的一行温度读数不良(lowtemp_highrate line 106)。 我建议快速绘制每个日志文件、并删除可能导致工具问题的任何不连续性。  

    我快速浏览了.gg.csv 文件。 EDV_CMP 位设置为零、这意味着它将使用固定的 EDV 值。 当电池电压低于固定 EDV2时、SOC 将立即降至7%。 EDV1会将 SOC 更改为3%。 成功生成 CEDV 参数后、您可以更新数据闪存中的 CEDV 参数、然后将 EDV_CMP 位设置为"1"。 这将有助于测量精度。  

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    Matt、您好!

    感谢您的帮助、上周、我在电量监测计工作的情况下得以运行。

    此致

    RENS