[参考译文] TPS22976：应用问题

很高兴能和你再次交谈 Aaron：)

[引用用户="Aaron Hsu32"]

当 TPS22976 应用于 VIN 电容器<VOUT capacitor, do I need to worry about damage to TPS22976? 时

  VIN 电容(88uF~120uF) < VOUT 电容(200u~470u)   

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在这种情况下不存在损坏的可能性。 随着负载的释放、VIN 上可能会出现轻微的电流峰值。  

[引用用户="Aaron Hsu32"]

在输入电容小于输出电容的应用中、我是否需要遵循数据表中的反向电流阻断图10-4以避免电流流经体二极管损坏 TPS22976？

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除非在器件导通后由更高的电压源提供 VOUT、否则不会存在体二极管导通的可能性、因为它会通过体二极管反向连接。  

您不需要为 RCB 配置器件、除非您要为 VOUT 提供高于体二极管正向电压的大于 VIN 的电压。  

[引用用户="Aaron Hsu32"]

如果是这种情况、则不应存在需要在硬件中解决的反向导通问题。  

最好

Dimitri

Aaron、  

在这种情况下、您无需担心反向导通。  

最好

Dimitri

Aaron、  

您可以根据系统经历的环境温度进行估算、并通过 RJ_theta_a 乘以的体二极管(i*V)添加功率 请注意、我们没有体二极管的 IV 特性、因此可能需要基准测试来获得最准确的结果。  

结温应该被计算为低于限值。 请注意、TPS22976体二极管不建议进行连续反向导通。

最好

Dimitri

Aaron、  

您关注哪些启动条件？ 请详述一下。

功率估算用于确保结温不会超过最大值、公式大致相同。  

当您想知道整个运行时间内的平均功耗时、这大致假定了稳态条件。

启动条件持续时间非常短、不是稳态条件、因此您无需担心超出功率限制。

最好

Dimitri

Aaron、

这个线程似乎有问题、我之前见过您的 Dec8响应、但现在找不到它。  

我记得您的问题、但我将在这里回答：

是的、您确实关心启动功率、但我们专门选择 CT 电容器来更改上升时间。 提供给电容器的电荷保持不变、因此我们延长了上升时间、以减小浪涌电流并使充电随时间推移而扩展。 即使在电路板布局之后、也可以通过修改电容值来调整此值。

3.3V、470uF 最大 Cout、上升时间：1.22ms

我现在正在观看 TI 科技日的演示、我的同事非常好地总结了这些注意事项、就像我在键入时一样、这里是他的幻灯片中的一个电容、其中包含公式。 这不是 HSS 所独有的，与负载开关完全相同。

对于您的系统、初始充电期间浸渍电容器的浪涌电流为~1.27A、这很容易低于器件的功率限制、除非您的负载电流在启动时吸收了荒谬的电流。

如果对此主题有任何其他问题、请告诉我、  

最好

Dimitri

Aaron、

我们没有发布功率限制、稳态功率限制取决于环境温度和平均负载条件。 只要电压的 Tj<125C 和最大值条件、电流就不会超过、这是可接受的工作区域。  

本节(复制如下)介绍了 IV 的绝对最大条件、即热功率计算。

在启动期间、器件会根据 CT 电容控制上升时间、并且正如我们在上面计算的那样、您的上升时间大约设置为1.2ms、~1.27A。

由于这段时间太短、因此以第12.3节的方式计算 Tj 无效、因为这是在短时间内发生的。  

我的建议只是为了确保在启动时不超过 V/I 最大值条件、并确保 Tj 稳定状态(平均负载电流)小于125C

最好

Dimitri

只要不经常出现这种情况(仅在启动时)、则为是。

最好

Dimitri