您好！
我有一位客户正在寻找超低 Iq LDO (最大1uA 以下)、
4.3VBATT -> 3V 输出、最大电流为150mA
我提供了他们喜欢的以下器件：
TPS7A02
TPS7A03
TPS783
它们的主要问题是瞬态响应、
他们在问、这些器件在1us 瞬态电流、150mA 最大电流下是否能够支持20mA？
由于此标签极小、是否有任何电容器建议用于此瞬态并尽可能减小尺寸？
谢谢、
Victor Levy
尊敬的 Victor：
从技术上讲、任何 LDO 都可以支持任何达到其满额定负载电流的负载瞬态、这取决于应用中允许的输出电压变化。 TPS7A02和 TPS7A03的性能将优于 TPS783、TPS783是一款较旧的器件、基于数据表图和下面的数学运算。 当 LDO 输出经历负载瞬态时、反馈环路无法瞬时响应、因此初始压降将由电容器放电引起。 这遵循简单的电容器公式 I = C * dV/dt。 在压降之前、存在电感振铃(如果走线中的电感过大)和 ESR 压降(如果走线中的电阻过大)。 在客户负载电流和步进速率(20mA/1us)下、他们很难遇到任何电感或 ESR 问题、因此我们可以仅关注电容。
从 TPS7A02数据表中的图11中、我们可以推断反馈环路启动所需的时间。 C = 1uF、di = 50mA、dV = 165mV。 因此 dt = 3.3us。 因此、20mA 的负载阶跃将提供 dV = 66mV 的预期偏差。
从 TPS7A03数据表中的图16中、我们可以执行相同的数学运算来确定 dt = 2.5us。 因此、20mA 的负载阶跃将提供 dV = 50mV 的预期偏差。
从 TPS783数据表中的图17中可以看出、该图太缩小了、无法查看详细信息、但我们也可以估计、20mA 是图17中使用的负载阶跃的2倍。 因此、我们可以估计偏差为大2倍、或约为220mV。
如果这种偏差是不可接受的、那么您只需增加输出电容器、直至压降满足系统要求。
谢谢、
斯蒂芬
