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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/959897/tps40305-device-failed-in-the-200mhz-1ghz-fcc-emi-testing
我们的产品未通过 200MHz-1GHz FCC EMI 测试。
调试完成后、我们确定 TPS40305会产生该噪声、具体是 Q7和 Q8。
请找到 EMI 测试的结果。
请找到布局屏幕截图。
通过将 R789和 R790的值从0r 更改为10R、我们看到了改进、但没有那么大的改进。
让我们了解解决该问题的进一步步骤。
我们还将获得215MHz 至250MHz 的随机峰值以及433MHz 峰值。
Pratik Panchal.1
我对迟迟未能就此问题与您进行讨论表示歉意。 11月26日星期四和11月27日星期五是美国的假日。
215MHz 和250MHz 噪声很可能是 L-C 谐振回路从 Q7漏极(高侧 FET)的旁路寄生电感到 Q8源极(低侧 FET)和开关节点(Q7源极和 Q8漏极)的寄生电容产生的振铃
450MHz 噪声可能与开关节点上的上升沿和上升沿速率有关。
遗憾的是、现有布局似乎没有为通常用于帮助抑制此类噪声的组件提供配置。
在不更改布局的情况下：
将 C101从10uF 更改为0402尺寸10nF 电容器。 与10uF 电容器相比、小型封装10nF 电容器可提供更好的旁路效率和更低的寄生电感。
您可以通过将 C590从10uF 更改为22uF 来抵消输入旁路电容的损耗、这也有助于拆分输入电容器的谐振频率、并有助于减少谐振峰值。
更改 R789 (低侧 FET 栅极电阻器)和 R790 (高侧栅极电阻器)、以便上升沿和下降沿具有不同的边沿速率、有助于减少噪声的峰值能量。 3：1比率通常很好、 例如 R789为3.3欧姆、790为10欧姆。
如果您可以进行更改：
使用大约1nF 的电容和大约1欧姆的电阻将一个 R-C 缓冲器从 Q8的漏极(SW 节点)添加到其源极(GND)、有助于抑制振铃。 理想情况下、该缓冲器位于 Q7和 Q8之间。
根据设计规则、在靠近 Q7和 Q8的位置向 VIN 和 GND 焊盘添加过孔将允许在 PCB 背面添加额外的并联输入电容、从而进一步降低寄生输入电感、这也会有所帮助。
在 C86和 BOOT 引脚之间添加一个电阻器将允许开关节点的上升沿和下降沿、将高侧栅极驱动电阻分离为单独的组件、从而更好地定制上升和下降噪声。 将每个电阻设置为3.3欧姆、以便 在导通期间有6.6欧姆的串联电阻、而在关断期间有3.3欧姆的串联电阻通常很有效、但也可以采用其他组合。
请在您有机会尝试上述建议时告诉我。
